9月9日消息，国家知识产权局信息显示，苏州锴威特半导体股份有限公司申请一项名为“一种平面分栅碳化硅MOSFET器件”的专利。申请公布号为CN122719141A，申请号为CN202611171876.1，申请公布日期为2026年9月8日，申请日期为2026年8月4日，发明人罗寅、苏乐、谭在超、丁国华，专利代理机构南京众联专利代理有限公司，专利代理师杜静静，分类号H10D30/66、H10D64/27、H10D84/00。
专利摘要显示，本发明涉及一种平面分栅碳化硅MOSFET器件，所述器件设置分栅结构，在分栅中央设置分离中心注入P型区，在漂移区设置凸出P柱区，所述器件包括N型衬底，N型衬底上方设置N型外延层，位于N型外延层中的凸出P柱区，位于N型外延层顶部的P体区、N+源区、P+源区、中心注入P型区通过离子注入形成，位于N型外延层上方的栅氧介质，位于栅氧介质中央的多晶硅，位于N型外延层和氧化层介质上方的源极金属，位于N型衬底下方的漏极金属，N+源区、P+源区、中心注入P型区通过源极金属短接，本发明可以在有效提升器件第一、第三象限静、动态性能的前提下，同时改善器件栅氧质量、体二极管双极退化、抗短路及浪涌电流能力等可靠性问题。
锴威特是国内领先的功率半导体设计企业，聚焦功率器件与功率IC研发，拥有自主可控的技术壁垒。公司成立于2015年1月22日，于2023年8月18日在上海证券交易所上市，注册及办公地址均位于江苏省苏州市。
锴威特主营业务涵盖功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务，所属申万行业为电子-半导体-分立器件，同时布局新能源车、并购重组、融资融券三大概念板块。
2026年上半年，锴威特实现营业收入1.61亿元，在18家同行业可比公司中排名第17位，显著低于行业14.07亿元的平均水平与8.32亿元的中位数水平，同期行业营收前两位分别为士兰微的72.62亿元、扬杰科技的45.15亿元；营收结构方面，功率器件贡献8088.08万元，占比50.24%，功率IC及其他贡献7756.68万元，占比48.18%，其余营收来自补充类业务与技术服务。当期公司净利润为-3357.71万元，在18家同行业可比公司中排名第15位，远低于行业9942.33万元的平均水平与5390.72万元的中位数水平，同期行业净利润前两位分别为扬杰科技的7.57亿元、源杰科技的6.07亿元。
| 业绩指标 | 锴威特当期数值 | 行业排名/总样本数 | 行业头部企业数值 | 行业平均水平 | 行业中位数水平 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2026年上半年营业收入 | 1.61亿元 | 17/18 | 士兰微72.62亿元、扬杰科技45.15亿元 | 14.07亿元 | 8.32亿元 |
| 2026年上半年净利润 | -3357.71万元 | 15/18 | 扬杰科技7.57亿元、源杰科技6.07亿元 | 9942.33万元 | 5390.72万元 |
| 功率器件营收 | 8088.08万元，占比50.24% | - | - | - | - |
| 功率IC及其他营收 | 7756.68万元，占比48.18% | - | - | - | - |
| 其他补充业务营收 | 137.98万元，占比0.86% | - | - | - | - |
| 技术服务营收 | 115.27万元，占比0.72% | - | - | - | - |
苏州锴威特半导体股份有限公司近期专利情况如下：
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种分栅沟槽碳化硅MOSFET器件 | 发明专利 | 公布 | CN202611192511.7 | 2026-08-07 | CN122699374A | 2026-09-04 | 罗寅、苏乐、谭在超、丁国华 |
| 2 | 一种平面分栅碳化硅MOSFET器件 | 发明专利 | 公布 | CN202611171876.1 | 2026-08-04 | CN122719141A | 2026-09-08 | 罗寅、苏乐、谭在超、丁国华 |
| 3 | 一种带有变压器输入矫正的电路结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610451616.3 | 2026-04-08 | CN122292843A | 2026-06-26 | 罗寅、周子阳、谭在超、丁国华 |
| 4 | 一种基于输出电压差动态切换的高边限流保护电路 | 发明专利 | 授权 | CN202610236982.7 | 2026-02-28 | CN121769803B | 2026-05-15 | 谭在超、章羚洪、罗寅、丁国华 |
| 5 | 一种提高压摆率的运算放大器电路 | 发明专利 | 授权 | CN202610160102.2 | 2026-02-04 | CN121643671B | 2026-05-05 | 谭在超、石永柳、罗寅、丁国华 |
| 6 | 高电压变化率CMTI测试电路 | 发明专利 | 授权 | CN202610141618.2 | 2026-02-02 | CN121618964B | 2026-05-12 | 吴斌、孙鹏远 |
| 7 | 应用于电流检测的自适应PWM抑制电路 | 发明专利 | 授权 | CN202610119020.3 | 2026-01-28 | CN121585000B | 2026-04-03 | 罗寅、信维明、谭在超、丁国华 |
| 8 | 一种碳化硅超结MOSFET器件 | 发明专利 | 授权 | CN202610085730.9 | 2026-01-22 | CN121568413B | 2026-04-03 | 谭在超、苏乐、罗寅、丁国华 |
| 9 | 一种具有快速关断功能的固态继电器电路 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610052766.7 | 2026-01-15 | CN121530356A | 2026-02-13 | 谭在超、张胜、罗寅、丁国华 |
| 10 | 一种具有超结结构的碳化硅MOSFET器件 | 发明专利 | 授权 | CN202610004008.8 | 2026-01-05 | CN121463492B | 2026-03-27 | 罗寅、苏乐、谭在超、丁国华 |
| 11 | 一种具有浮空柱区的碳化硅超结MOSFET器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202512038886.X | 2025-12-31 | CN121772287A | 2026-03-31 | 罗寅、苏乐、谭在超、丁国华 |
| 12 | 一种低纹波闭环负压电荷泵电路 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202511438626.5 | 2025-10-10 | CN120915131B | 2025-12-02 | 谭在超、沈俊杰、罗寅、丁国华 |
| 13 | 一种交错QR反激式控制器 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202511439531.5 | 2025-10-10 | CN120915103B | 2025-12-12 | 谭在超、涂才根、罗寅、丁国华 |
| 14 | 一种非对称半桥反激变换器轻载效率优化方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202511433309.4 | 2025-10-09 | CN120896452B | 2025-11-25 | 谭在超、周翔、李大为、罗寅、丁国华 |
| 15 | 一种非对称半桥反激变换器轻载控制策略优化方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511434266.1 | 2025-10-09 | CN120896453B | 2025-11-28 | 谭在超、周翔、李大为、罗寅、丁国华 |
| 16 | 一种脉冲宽度补偿的高速包络解调电路 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202511435557.2 | 2025-10-09 | CN120934949B | 2025-12-12 | 罗寅、杨逸凡、谭在超、丁国华 |
| 17 | 一种低导通电阻平坦度的模拟开关结构 | 发明专利 | 授权 | CN202511335330.0 | 2025-09-18 | CN120825157B | 2025-11-21 | 罗寅、王鑫、谭在超、丁国华 |
| 18 | 低温漂分段温度补偿带隙基准电路、芯片及控制装置 | 发明专利 | 专利权质押登记、变更及注销、授权、实质审查的生效、公布 | CN202510288010.8 | 2025-03-12 | CN119806273B | 2025-05-30 | 谭在超、罗寅、丁国华 |
| 19 | 一种带输入开关的同步升压转换器及其控制芯片 | 发明专利 | 授权 | CN202510254227.7 | 2025-03-05 | CN119743021B | 2025-11-11 | 罗寅、肖会明、谭在超、丁国华 |
| 20 | 一种应用于COT模式降压变换器的瞬态增强电路 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510196335.3 | 2025-02-21 | CN119675456B | 2025-05-09 | 谭在超、罗寅、丁国华 |
| 21 | 共模降噪电平位移电路 | 发明专利 | 专利权质押登记、变更及注销、授权、实质审查的生效、公布 | CN202510081615.X | 2025-01-20 | CN119543913B | 2025-04-04 | 谭在超、刘建国、罗寅、丁国华 |
| 22 | OTP烧写逻辑电路及烧写方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202411941898.2 | 2024-12-27 | CN119376746B | 2025-03-21 | 罗寅、章羚洪、谭在超、丁国华 |
| 23 | 一种单片反激式转换器及控制芯片 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202411463100.8 | 2024-10-21 | CN118971630A | 2024-11-15 | 谭在超、涂才根、罗寅、丁国华 |
| 24 | 一种过温检测电路和高边开关 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411357022.3 | 2024-09-27 | CN118882846B | 2025-02-11 | 谭在超、王可攀、罗寅、丁国华 |
| 25 | 一种高边开关的电流检测电路 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411121883.1 | 2024-08-15 | CN118671434B | 2024-12-17 | 谭在超、王可攀、罗寅、丁国华 |
| 26 | 一种低温漂的电流产生电路和集成电路 | 发明专利 | 专利权质押登记、变更及注销、授权、公布 | CN202410775610.2 | 2024-06-17 | CN118331382B | 2024-10-11 | 罗寅、谭在超、丁国华 |
| 27 | 一种随机抖频环形振荡器 | 发明专利 | 专利权质押登记、变更及注销、专利权质押登记、变更及注销、授权、实质审查的生效、公布 | CN202410364981.1 | 2024-03-28 | CN117978131B | 2024-06-21 | 谭在超、罗寅、丁国华 |
| 28 | 一种SiCMOSFET驱动电路、控制芯片和开关电源 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202410234438.X | 2024-03-01 | CN117856587B | 2024-05-07 | 谭在超、涂才根、罗寅、丁国华 |
| 29 | 一种高边开关的过温检测电路和开关电源 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202410122448.4 | 2024-01-30 | CN117650483B | 2024-04-16 | 罗寅、肖会明、谭在超、丁国华 |
| 30 | 一种正温系数可调的电压产生电路 | 发明专利 | 专利权质押登记、变更及注销、专利权质押登记、变更及注销、授权、实质审查的生效、公布 | CN202410112740.8 | 2024-01-26 | CN117631745B | 2024-04-09 | 谭在超、陈朝勇、罗寅、丁国华 |
| 31 | 一种具有限流输出的LDO电路 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202410103437.1 | 2024-01-25 | CN117631741B | 2024-04-09 | 谭在超、罗寅、丁国华 |
| 32 | 一种用于桥式驱动的电荷泵电路和升压方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202410091324.4 | 2024-01-23 | CN117614264A | 2024-02-27 | 谭在超、刘建国、罗寅、丁国华 |
| 33 | 一种校正失调电压的电压比较器 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202410001989.1 | 2024-01-02 | CN117526740B | 2024-03-12 | 谭在超、罗寅、丁国华 |
| 34 | 一种宽电压范围的电流检测电路和开关电源 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311670096.8 | 2023-12-07 | CN117388561B | 2024-03-01 | 罗寅、谭在超、丁国华 |
| 35 | 一种可调抖频振荡器 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311594870.1 | 2023-11-28 | CN117318473B | 2024-01-30 | 罗寅、涂才根、谭在超、丁国华 |
| 36 | 共模瞬态抗扰度测试电路、方法、测试装置和存储装置 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311525005.1 | 2023-11-16 | CN117233584B | 2024-02-06 | 罗寅、张胜、谭在超、丁国华 |
| 37 | 一种超低温漂的基准电压输出电路 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202311460432.6 | 2023-11-06 | CN117215366A | 2023-12-12 | 罗寅、张胜、谭在超、丁国华 |
| 38 | 一种电压检测电路 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311345044.3 | 2023-10-18 | CN117074767B | 2024-01-30 | 谭在超、罗寅、丁国华 |
| 39 | 一种模拟乘法器电路 | 发明专利 | 专利权质押登记、变更及注销、专利权质押登记、变更及注销、授权、实质审查的生效、公布 | CN202311110731.7 | 2023-08-31 | CN116865740B | 2023-11-10 | 罗寅、涂才根、谭在超、丁国华 |
| 40 | 一种控制芯片和PFC变换器 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311100614.2 | 2023-08-30 | CN116846200B | 2023-11-10 | 罗寅、涂才根、谭在超、丁国华 |
| 41 | 一种原边反馈的反激变换器的采样电路 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311100617.6 | 2023-08-30 | CN116827128B | 2023-11-17 | 罗寅、肖会明、谭在超、丁国华 |
| 42 | 一种电平位移电路 | 发明专利 | 专利权质押登记、变更及注销、授权、实质审查的生效、公布 | CN202311085953.8 | 2023-08-28 | CN116827333B | 2023-11-03 | 谭在超、刘建国、罗寅、丁国华 |
| 43 | 一种负电压比较电路 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311069526.0 | 2023-08-24 | CN116780920B | 2023-11-03 | 罗寅、谭在超、丁国华 |
| 44 | 一种高效率光电池及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310915181.X | 2023-07-25 | CN116632097B | 2023-09-22 | 罗寅、张胜、谭在超、丁国华 |
| 45 | 一种电源管理电路、方法和电源电路 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310840239.9 | 2023-07-11 | CN116566177B | 2023-09-15 | 罗寅、陈朝勇、谭在超、丁国华 |
| 46 | 一种低温漂的低压检测电路 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310840238.4 | 2023-07-11 | CN116559522B | 2023-09-15 | 谭在超、罗寅、丁国华 |
| 47 | 一种SiCMOSFET及其制作工艺方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310836119.1 | 2023-07-10 | CN116598340B | 2023-09-22 | 罗寅、谭在超、丁国华 |
| 48 | 一种高共模抑制跨阻放大器和光耦芯片 | 实用新型 | 授权 | CN202321693165.2 | 2023-06-30 | CN220383034U | 2024-01-23 | 谭在超、罗寅、丁国华 |
| 49 | 一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路 | 实用新型 | 授权 | CN202321679628.X | 2023-06-29 | CN220421801U | 2024-01-30 | 罗寅、张胜、谭在超、丁国华 |
| 50 | 一种过流保护电路、芯片、方法和开关电源 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202310635611.2 | 2023-06-01 | CN116365481B | 2023-09-15 | 罗寅 |
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