近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，嘉善复旦研究院提交的“基于 GaAs IPD工艺的紧凑型3dB电桥”布图设计正式获得国家知识产权局发布的集成电路布图设计专有权公告，相关登记信息已纳入全国集成电路布图设计专有权公开数据库。此次获得官方公告认可，标志着嘉善复旦研究院在砷化镓集成无源器件领域的核心设计成果得到知识产权层面的权威确认，将为其后续相关技术落地、产业合作拓展提供坚实的权益支撑。

项目	详情
发布时间	2026年9月4日
布图设计登记号	BS.265576393
布图设计申请日	2026年5月7日
公告日期	2026年9月4日
公告号	99133
布图设计名称	基于 GaAs IPD工艺的紧凑型3dB电桥
布图设计权利人	嘉善复旦研究院
布图设计创作人	李嘉进、韩科锋、闫娜、许灏、尹睿
布图设计创作完成日	2026年4月3日

本次公开的公告信息明确，该集成电路布图设计的创作完成日为2026年4月3日，由李嘉进、韩科锋、闫娜、许灏、尹睿五名研发人员共同完成创作，嘉善复旦研究院作为布图设计权利人，于2026年5月7日正式向国家知识产权局提交登记申请，经审查通过后，相关专有权事项于2026年9月4日正式发布公告，对应的布图设计登记号为BS.265576393，公告号为99133。该布图设计聚焦基于GaAs IPD工艺的紧凑型3dB电桥方向，属于射频微电子领域的核心无源器件设计成果，其获得官方确权也将为国内相关高频通信、雷达等应用场景的自主化器件供给补充新的技术选项。

点评分析
嘉善复旦研究院此次拿下砷化镓IPD工艺3dB电桥的集成电路布图设计专有权，核心研发成果获得国家知识产权权威确权，既筑牢了自身技术权益的防护壁垒，也为后续技术落地、对接产业合作提供了扎实的知识产权支撑，同时还能为国内高频通信、雷达等场景的自主器件供给补充新的可行技术选项。

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