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源杰科技申请半导体光芯片相关专利,半导体光芯片提高光探测器检测准确性稳定性

5月17日消息,国家知识产权局信息显示,陕西源杰半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种具备功率监测的半导体光芯片及方法”的专利。申请公布号为CN122051778A,申请号为CN202610497751.1,申请公布日期为2026年5月15日,申请日期为2026年4月15日,发明人曹凡、剌晓波、绳梦伟、李马惠、潘彦廷,专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司,专利代理师贺小停,分类号H01S5/026、H01S5/50。

专利摘要显示,本申请涉及一种具备功率监测的半导体光芯片及方法,属于半导体器件技术领域。该半导体光芯片,包括沿半导体光芯片宽度方向设置的半导体光放大器和半导体光探测器;半导体光放大器和半导体光探测器的下层共用,半导体光放大器的芯层自下而上依次包括下限制层、多量子阱层、上限制层及保护层,形成半导体光放大器的第一波导;半导体光探测器的芯层包括波导层,形成半导体光探测器的第二波导;半导体光放大器和半导体光探测器的上层共用,上层自下而上依次包括间隔层、包层、接触层、钝化层和P面金属层;该半导体光芯片避免了传统背光探测器存在的随机光栅相位问题,提高了半导体光探测器的检测准确性和稳定性。

源杰科技成立于2013年1月28日,于2022年12月21日在上海证券交易所上市。公司注册地址和办公地址均涉及陕西省,办公地址还包括香港。源杰科技是国内领先的光芯片制造商,技术实力强,产品广泛应用于数据中心和电信市场。

源杰科技的主营业务为光芯片的研发、设计、生产与销售,所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件,属于大盘成长、高价股、大盘概念板块。

2025年,源杰科技实现营业收入6.01亿元,在行业18家公司中排名第13,对比行业第一名*ST闻泰312.53亿元、第二名士兰微130.52亿元,低于行业平均数39.84亿元和中位数13亿元。其主营业务中,数据中心类产品营收3.93亿元,占比65.39%;电信市场类产品营收2.06亿元,占比34.33%;其他类产品及其他(补充)占比较小。净利润方面,2025年为1.91亿元,在行业中排名第5,对比行业第一名扬杰科技12.45亿元、第二名捷捷微电4.76亿元,高于行业平均数 - 3.38亿元和中位数5933.85万元。

陕西源杰半导体科技股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种具备功率监测的半导体光芯片及方法发明专利公布CN202610497751.12026-04-15CN122051778A2026-05-15曹凡、剌晓波、绳梦伟、李马惠、潘彦廷
2单片集成光电探测的半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511043218.X2025-07-28CN120566222A2025-08-29绳梦伟、李马惠、剌晓波、王玮、梁亚星、魏来严、穆瑶
3集成分支波导和光电二极管的半导体器件发明专利授权CN202511043276.22025-07-28CN120566223B2026-03-13绳梦伟、李马惠、剌晓波、王玮
4一种波导耦合集成光电二极管的半导体激光器结构发明专利授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510615586.02025-05-14CN120127495B2025-08-01绳梦伟、李马惠、剌晓波、王玮
5一种光子集成芯片结构及其制作方法发明专利授权、公布CN202411260880.62024-09-10CN118783230B2025-02-14张振宁、杨舒涵、李马惠、穆瑶、魏来严
6一种大功率抗反射半导体激光器发明专利专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更、授权、实质审查的生效、公布CN202410862794.62024-06-28CN118801210B2025-06-06剌晓波、潘彦廷、曹凡、侯慧慧
7一种高速电吸收调制激光器的封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202410827073.12024-06-25CN118970617A2024-11-15张磊、李马惠、潘彦廷、刘钿、董延
8一种非气密应用的半导体激光器发明专利授权、公布CN202410819308.22024-06-24CN118748350B2025-02-25陈发涛、潘彦廷、李马惠、党晓亮
9一种电吸收调制激光器芯片实用新型授权CN202321316552.42023-05-29CN219268130U2023-06-27李马惠、穆瑶、任鹏强
10一种具有抗反射功能的EML芯片结构及制备方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202210646936.62022-06-09CN114725772A2022-07-08张海超、李马惠、师宇晨、穆瑶、王兴
11一种电吸收调制激光器芯片及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210498033.82022-05-09CN114865446B2023-03-21李马惠、潘彦廷、穆瑶、师宇晨、张海超
12波导对接结构生长方法、铝量子阱激光器及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202210067480.82022-01-20CN114540785B2022-12-02张海超、师宇晨、穆瑶
13一种铝量子阱激光器及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202110628970.62021-06-07CN113078553B2021-08-13张海超、穆瑶、师宇晨、李马惠、潘彦廷
14激光器芯片及制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202110258774.42021-03-10CN112636178B2021-06-01张海超、潘彦廷、李马惠、穆瑶、董延、陈发涛、刘钿、曹凡、谷润妍
15激光器芯片及制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202110258344.22021-03-10CN112636180B2021-06-01师宇晨、潘彦廷、李马惠、穆瑶、董延、陈发涛、刘钿、曹凡、谷润妍
16半导体器件制备方法及半导体器件发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202011462122.42020-12-14CN112242433A2021-01-19李马惠、宋晓栋、师宇晨、张海超
17半导体器件及其制备方法发明专利专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布CN202011462300.32020-12-14CN112234436B2021-03-09董延、李马惠、潘彦廷、刘钿
18半导体器件及其制备方法发明专利专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布CN202011461680.92020-12-14CN112234435B2021-03-09潘彦廷、靳晨星、刘钿、师宇晨
19半导体器件及其制备方法发明专利专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权、实质审查的生效、公布CN202011461795.82020-12-14CN112217096B2021-03-09潘彦廷、董延、刘钿、师宇晨
20半导体器件制备方法及半导体器件发明专利授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202011461968.62020-12-14CN112271209B2021-08-13李马惠、师宇晨、张海超、穆瑶

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