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晶合集成申请半导体器件相关专利，该方法消除填充层残留差异提升器件良率

创始人 更新于 2026-04-02 09:19:35 首发于 2026-04-02 09:20:39 街坊资讯 0

4月2日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法和半导体器件”的专利。申请公布号为CN121772724A，申请号为CN202610252765.7，申请公布日期为2026年3月31日，申请日期为2026年3月3日，发明人方小婷、陈冠中、吴明刚，专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司，专利代理师梁燕飞，分类号H10W20/00。

专利摘要显示，本申请实施例公开了一种半导体器件的制造方法和半导体器件，该方法包括：在基底上方依次形成第一刻蚀停止层、第一介电层、第二刻蚀停止层和第二介电层，基底包括衬底和衬底上方的前层金属层；刻蚀第二介电层、第二刻蚀停止层及第一介电层以暴露第一刻蚀停止层，且第二刻蚀停止层的横向开口小于第二介电层及第一介电层的横向开口；在所得开口内涂布牺牲填充层后，利用刻蚀终点检测模式回刻牺牲填充层；刻蚀第一刻蚀停止层以暴露前层金属层后，在开口内填充金属形成目标金属层。本申请实施例消除了因图案负载效应导致的牺牲填充层残留高度差异，从而提升了器件良率。

晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市，注册地址位于安徽省合肥市。它是国内知名的12英寸晶圆代工企业，具备先进制程工艺与技术优势，投资价值凸显。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务，专注研发和应用先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，属于安徽国资、集成电路、TMT概念板块。

2025年，晶合集成营业收入达108.85亿元，在行业4家企业中排名第3，与第一名中芯国际的673.23亿元、第二名华虹公司的172.91亿元存在差距，低于行业平均数240.81亿元和中位数140.88亿元。主营业务中，集成电路营收103.88亿元，占比95.43%；其他（补充）业务营收4.97亿元，占比4.57%。净利润方面，当期为4.66亿元，同样排名行业第3，与第一名中芯国际的72.09亿元、第二名赛微电子的13.88亿元有较大差距，低于行业平均数20.64亿元和中位数9.27亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种负偏压温度不稳定测试的测试执行方法发明专利公布CN202610256197.82026-03-04CN121763040A2026-03-31董琳、王仲盛、徐畅、林淯慈、毛辰辰
2半导体结构、制备方法及提高器件载流子迁移率的方法发明专利公布CN202610249024.32026-03-03CN121772328A2026-03-31王文智
3半导体器件的制造方法和半导体器件发明专利公布CN202610252765.72026-03-03CN121772724A2026-03-31方小婷、陈冠中、吴明刚
4一种半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610250050.82026-03-03CN121772275A2026-03-31宫本正文、石田浩
5一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610245463.72026-03-02CN121752050A2026-03-27陈杨、张惠慧、刘然
6半导体测试结构及测试方法发明专利公布CN202610243473.72026-03-02CN121741434A2026-03-27桑华煜、程洋、汪华
7一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610243328.92026-03-02CN121752034A2026-03-27祝君龙、刘哲儒
8一种氮化硅薄膜的形成方法及基于该方法形成的器件结构发明专利公布CN202610247747.X2026-03-02CN121772620A2026-03-31阮钢、运广涛、苏圣哲
9一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610230677.72026-02-27CN121729066A2026-03-24盛云、高志杰、蔡宗佐、高佑琳
10半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610226083.92026-02-26CN121728821A2026-03-24刘苏涛、林士闵
11半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202610227349.12026-02-26CN121752041A2026-03-27查鸿凯、程挚
12自对准阻挡结构的形成方法及半导体结构发明专利公布CN202610214878.82026-02-14CN121712261A2026-03-20赵西连、李婷、蒋倩文
13一种结型场效应管及其制作方法发明专利公布CN202610209966.92026-02-13CN121712070A2026-03-20刘凯、北口裕久
14布线方法、装置、存储介质及芯片发明专利公布CN202610210041.62026-02-13CN121706718A2026-03-20陈星、郭军
15掩膜图案的生成方法、掩膜、半导体结构及其制造方法发明专利公布CN202610212003.42026-02-13CN121742116A2026-03-27陶思友、巫振伟、汪雪春
16表单生成方法、表单生成系统、存储介质及程序产品发明专利公布CN202610203763.92026-02-12CN121680850A2026-03-17杨昆、崔洁、陈云、许紫璇
17一种抑制CIS暗电流的方法及CIS发明专利公布CN202610204137.12026-02-12CN121692822A2026-03-17陈铜、冯文辉
18MOSFET电流模拟模型的构建、模拟方法及相关装置发明专利公布CN202610195676.32026-02-11CN121683668A2026-03-17姚子凤、柯天麒、张立涛
19半导体器件的参数校准方法和制造方法发明专利公布CN202610197892.12026-02-11CN121683692A2026-03-17王磊、邓少鹏、汪文婷、刘波、魏港澳
20方块电阻预测模型训练方法及方块电阻预测方法发明专利公布CN202610200279.02026-02-11CN121724086A2026-03-24许可、陈健、邱茹蒙、秦绪威、黄奕泉、刘哲儒
21一种半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610181967.72026-02-09CN121665627A2026-03-13刘洋、李琦琦
22高雷击浪涌耐量的超高压结型场效应管器件及其制作方法发明专利公布CN202610182773.92026-02-09CN121692729A2026-03-17刘凯、北口裕久、王维安、程洋
23一种键合结构及其制备方法发明专利公布CN202610180499.12026-02-09CN121693222A2026-03-17崔立加、余义祥、徐华超、王梦晴
24MOSFET漏电流模拟模型的构建、模拟方法及设备发明专利公布CN202610170035.22026-02-06CN121659880A2026-03-13张立涛、方昕、张雅琳
25半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610164443.72026-02-05CN121665622A2026-03-13刘洋、刘哲儒、李琦琦、李婷、马梦辉
26半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610164440.32026-02-05CN121665621A2026-03-13刘洋、刘哲儒、李琦琦、李婷、马梦辉
27掩模板、图形形成方法及半导体器件的制备方法发明专利公布CN202610149919.X2026-02-03CN121634685A2026-03-10桑华煜、汪华、程洋、代海坡
28一种半导体器件的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610140150.52026-02-02CN121619943A2026-03-06王奎旭、胡薇、沈磊、高志杰、李涛
29一种掩模版的版图获取方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610140395.82026-02-02CN121613673A2026-03-06刘秀梅、罗招龙
30寄生MIM电容及其制备方法、图像传感器发明专利实质审查的生效、公布CN202610142878.12026-02-02CN121619876A2026-03-06蔡承佑、丁美平、陆莹莹、宋伟政、石伟
31半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610142832.X2026-02-02CN121619891A2026-03-06李亮、高珊、张劲
32一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610132362.92026-01-30CN121604535A2026-03-03张振、刘哲儒、林豫立
33一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610130109.X2026-01-30CN121604493A2026-03-03朱丁盛、胡琪、秦绪威
34集成电路的电阻检查方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610129702.22026-01-30CN121615587A2026-03-06陈星
35一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610122489.22026-01-29CN121586286A2026-02-27李飞、董宗谕
36半导体测试结构及保护MOS管的选取方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610122111.22026-01-29CN121595927A2026-03-03张立涛、方昕、姚子凤、郑启涛
37一种图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610113824.22026-01-28CN121586309A2026-02-27刘琦、张昭、宋明明
38场板介质层及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610117002.12026-01-28CN121619923A2026-03-06刘申婷、程洋
39一种图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610098801.92026-01-26CN121586305A2026-02-27郇小伟、蔡承佑
40一种半导体器件及制造方法发明专利公布CN202610092810.72026-01-23CN121559810A2026-02-24葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、吴昊
41一种半导体器件及制造方法发明专利公布CN202610092816.42026-01-23CN121559811A2026-02-24葛展志、杨昱霖、刘梅真、许超、吴昊
42环绕式栅极晶体管及其制备方法发明专利公布CN202610091098.92026-01-23CN121568400A2026-02-24刘洋、马梦辉、李琦琦、李婷、祝君龙
43LDMOS结构及LDMOS结构的制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610090393.22026-01-23CN121586277A2026-02-27胡赵磊、王梦慧
44浅沟槽隔离结构及其制造方法发明专利公布CN202610086885.42026-01-22CN121548288A2026-02-17汪明星、李阳阳、高志杰、杨杰
45半导体测试结构及其测试方法发明专利公布CN202610083592.02026-01-22CN121568560A2026-02-24毛辰辰、王仲盛、董琳、姜攀
46一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610083937.22026-01-22CN121568429A2026-02-24金鑫、葛成海、熊鹏宇、林滔天
47半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610083772.92026-01-22CN121586284A2026-02-27汪明星、高志杰、李阳阳、杨杰
48一种制造双浅沟道隔离的方法以及半导体结构发明专利授权CN202610088108.32026-01-22CN121568565B2026-03-24朱海龙、罗承先、李嘉伦
49静电放电保护器件及芯片发明专利授权CN202610083935.32026-01-22CN121568436B2026-03-24朱晓萌、鲍贤贤
50机台传感器分级方法和基于传感器数据的机台管控方法发明专利公布CN202610069832.12026-01-20CN121542897A2026-02-17王思民、孙姗姗、谭柳娟、徐东东

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