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（来源：观察者网）

中国公众，日益有一种共同的感觉，那就是一整代青年科学家与工程师，正以前所未有的昂扬姿态走上世界前沿。

为了记录这场正在进行时的后浪奔腾，观察者网联合多家顶尖科研机构与产业投资平台，对标麻省理工科技评论TR35等国际选拔体系的最佳实践，于日前发布了全面升级的“2025-2026年度科创人物”榜单。

上榜的“年度科创之星”、“年度求索者”、“年度领航者”入选者，研究领域纵贯人工智能、航天工程、纯粹数学、半导体架构、量子与光电芯片、生命科学、先进材料与能源技术等战略前沿，用硬核成果全面展现着中国青年“敢研究未解之难题、敢跨无人之险滩”的创新气魄。

作为本次评选的主体奖项，“年度求索者”共有十八位青年学者入选，石芝铭正是其中之一。

在半导体发光二极管（LED）的大规模产业应用中，电子与空穴注入效率的严重非对称性，长期制约着器件在高功率工况下的发光效率提升。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所副研究员石芝铭立足凝聚态物理与光电子器件前沿，巧妙引入“微观缺陷工程”来破除这一瓶颈。

石芝铭团队在GaN/AlN量子阱界面中精准引入受控氮空位作为电子能级弛豫阶梯，将热电子冷却时间从传统的8.61皮秒大幅缩短至0.15皮秒，从物理机理层面彻底攻克了困扰LED产业多年的非对称载流子注入难题。

这项发表于物理学权威期刊《Physical Review Letters》的突破性研究，完美诠释了“用纯粹的基础物理理论解决硬核工业应用难题”的科研范式。石芝铭以深厚的理论功底直击工业制造痛点，展现了中国青年科技工作者以科学创新赋能现代产业升级的坚实力量。

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