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奕斯伟材料申请VOC采样设备相关专利，采样设备多单元协作提高挥发性有机物检测精度

创始人 更新于 2026-07-04 09:24:15 首发于 2026-07-04 09:25:32 街坊资讯 0

7月4日消息，国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“采样设备、监测系统及挥发性有机物的采样方法”的专利。申请公布号为CN122329768A，申请号为CN202610490677.0，申请公布日期为2026年7月3日，申请日期为2026年4月14日，发明人卓倩倩、齐凌博，专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师宋东阳、侯丽丽，分类号G01N1/22、G01N1/26、G01N1/40、G01N1/42、G01N33/00。

专利摘要显示，本公开涉及一种采样设备、监测系统及挥发性有机物的采样方法。在一方面中，提供了一种采样设备，包括采样单元、吸附单元、第一截止单元、解吸驱动单元以及降温单元。采样单元用于对待测空间中的气体进行同步采样。吸附单元与采样单元连通，用于对气体中的挥发性有机物进行吸附富集。第一截止单元设置于采样单元与吸附单元之间的流路上，用于在采样结束后将吸附单元与外界环境隔离。解吸驱动单元用于在采样设备与分析仪器连通后向吸附单元提供解吸热量和用来载运解吸出的挥发性有机物的载气。降温单元与吸附单元连通，用于将解吸出的挥发性有机物降温并输出至分析仪器。由此，能够提高挥发性有机物的检测精度。

西安奕材于2016年3月16日成立，2025年10月28日在上海证券交易所上市，注册地和办公地均为陕西省西安市。该公司专注12英寸硅片领域，是国内半导体材料行业的新兴力量。

西安奕材所属申万行业为电子 - 半导体 - 半导体材料，涉及碳基半导体、大硅片、存储概念等概念板块，主营业务是12英寸硅片的研发、生产和销售。

2025年，西安奕材实现营业收入26.49亿元，在行业28家公司中排名第6，高于行业平均数19.44亿元和中位数11.14亿元，但与第一名有研新材的95.42亿元、第二名雅克科技的86.11亿元仍有差距。其主营业务中，测试片收入10.42亿元占比39.33%，抛光片9.84亿元占比37.15%，外延片6.1亿元占比23.03%。不过，公司当期净利润为 - 7.38亿元，在行业中排名27，远低于行业平均数3007.8万元和中位数8178.71万元，与第一名雅克科技的10.3亿元、第二名江丰电子的4.14亿元差距明显。

西安奕斯伟材料科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1采样设备、监测系统及挥发性有机物的采样方法发明专利公布CN202610490677.02026-04-14CN122329768A2026-07-03卓倩倩、齐凌博
2外延片生长方法、外延片生长设备以及外延片发明专利实质审查的生效、公布CN202610384651.82026-03-26CN122169208A2026-06-09梁鹏欢、张海洋
3外延片生产方法以及外延片发明专利实质审查的生效、公布CN202610384646.72026-03-26CN122169207A2026-06-09梁鹏欢
4外延片的制备方法、外延片及外延生长设备发明专利公布CN202610384533.72026-03-26CN122304021A2026-06-30梁鹏欢、张海洋
5外延过程中改善硅片的颗粒污染的方法、系统及外延片发明专利公布CN202610384864.02026-03-26CN122304024A2026-06-30王娜、金柱炫、俎世琦
6预测衬底硅片外延形貌及对衬底硅片进行外延工艺的方法发明专利公布CN202610375686.52026-03-25CN122262621A2026-06-23田雨欣、兰洵、邹永鑫、李安杰、张婉婉
7协同控制体微缺陷的直拉硅单晶生长方法、装置及硅晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202610368132.22026-03-24CN122013300A2026-05-12毛勤虎
8晶圆局部形貌风险的评估方法和系统、设备、介质和产品发明专利公布CN202610367443.72026-03-24CN122249026A2026-06-19马强强、李康康
9筛选方法、处理方法、晶圆、筛选装置、设备及介质发明专利公布CN202610367465.32026-03-24CN122270122A2026-06-23齐凌博、卓倩倩
10动态热场调控方法、单晶炉控制系统及计算机存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610354775.12026-03-23CN122189855A2026-06-12郭宏雁、潘浩、张鹏举
11一种加料角度调节方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610350636.12026-03-20CN121931593A2026-04-28赵嘉诚
12一种拉晶收尾控制方法、装置及计算机存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610346713.62026-03-20CN121931597A2026-04-28杨文武、宁沛娜
13单晶生长方法及设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610345729.52026-03-20CN121931595A2026-04-28潘浩、石小磊
14一种晶体生长控制方法、装置及单晶硅生长炉发明专利实质审查的生效、公布CN202610346716.X2026-03-20CN121931598A2026-04-28杨文武、宁沛娜
15一种研磨定盘及研磨设备、研磨方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610347640.22026-03-20CN122008064A2026-05-12章晓东
16抛光机、抛光垫检测方法、装置、检测设备、产品及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610345452.62026-03-20CN122008069A2026-05-12杨鑫卓
17一种加热系统、方法及单晶硅生长装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610349958.42026-03-20CN122039199A2026-05-15潘浩、王浩、孙洪涛
18一种拉制单晶硅棒的方法、系统及晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202610346714.02026-03-20CN122082099A2026-05-26杨文武、宁沛娜
19用于消除外延片背面光环缺陷的半导体工艺设备及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610346954.02026-03-20CN122214839A2026-06-16刘晨阳、王力、王雄
20晶圆划伤检测方法、装置及计算设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610295157.42026-03-11CN122222946A2026-06-16郭宏雁、林可、高坤、李康康
21外延片的制备方法、外延片以及外延生长设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610286950.82026-03-10CN122215064A2026-06-16梁鹏欢、张海洋
22一种晶圆形貌分类的方法、装置、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610269906.62026-03-06CN122049540A2026-05-15李彤、兰洵、袁力军、李安杰、张婉婉
23一种单晶炉及单晶炉拉晶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610269904.72026-03-06CN122105602A2026-05-29邹永鑫、郝昭慧、兰洵
24一种拉制晶棒的方法以及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610271370.12026-03-06CN122105603A2026-05-29杨文武、宁沛娜
25拉晶方法、装置、系统及单晶硅发明专利实质审查的生效、公布CN202610271117.62026-03-06CN122105606A2026-05-29蔡媛媛、张波娟、赵恒
26半导体晶棒生长工艺的缺陷检测方法、装置及计算设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610270993.72026-03-06CN122108959A2026-05-29蔡媛媛
27晶圆参数预测方法、装置及计算设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610272987.52026-03-06CN122153650A2026-06-05田雨欣、兰洵、张婉婉、李安杰、邹永鑫
28一种晶圆边缘检测方法、系统及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610266422.62026-03-05CN122227930A2026-06-16郑文腾
29用于晶圆的处理方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610260414.02026-03-04CN122227968A2026-06-16张申申
30晶圆、检测晶圆边缘形貌的方法、装置及晶圆制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610258367.62026-03-04CN122227928A2026-06-16薛浩波、张婉婉、袁力军
31一种半导体拉晶用石英坩埚的防倾斜支撑装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610248184.62026-03-02CN122082097A2026-05-26龙飞
32切割方法和装置、晶圆、存储介质及程序产品和电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610248434.62026-03-02CN122210797A2026-06-16朱海海
33单晶炉及单晶炉排气管道的清洁方法、装置及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610161883.72026-02-04CN122105601A2026-05-29彭标、孙洪涛、纪天平、姜辉
34一种晶圆清洗缺陷溯源锁定系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610149171.32026-02-03CN122180366A2026-06-09要佳兴、马成琛
35晶棒处理设备和晶棒处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610120374.X2026-01-28CN121945472A2026-05-01郭宏雁、黄兆皓
36一种实时调节清洗加工参数的清洗系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610108240.62026-01-27CN122161377A2026-06-05默玉海、周铖、陈祖庆
37搬运指令生成方法、系统、装置及计算设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610100691.52026-01-26CN122085903A2026-05-26刘洋、魏洋、李昊
38用于单晶硅生长炉的导流装置、方法及单晶硅生长炉发明专利实质审查的生效、公布CN202610104861.72026-01-26CN122189848A2026-06-12蔡媛媛、郭宏雁、张鹏举、申艳蕊
39排产派工方法及系统、计算机可读存储介质及产品、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610087864.42026-01-22CN122155160A2026-06-05李嘉楠、陈建勇、张建玲、范东方、张钊
40硅片刻蚀方法和硅片刻蚀设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610079762.82026-01-21CN121865865A2026-04-14贾志怡
41晶圆的处理方法、晶圆组件及半导体晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202610047548.42026-01-14CN122121551A2026-05-29王文娟、张博、兰洵、车宇航、刘贵浩
42控制半导体单晶生长的方法、装置、及晶棒发明专利公布CN202512010297.02025-12-29CN121653837A2026-03-13杨文武、宁沛娜
43半导体制造设备，及其尾气处理方法、系统发明专利实质审查的生效、公布CN202512010197.82025-12-29CN121944738A2026-05-01杨文武、宁沛娜
44一种硅片缺陷处理方法、表面处理液、硅片及清洗装置发明专利实质审查的生效、公布CN202512012667.42025-12-29CN122028669A2026-05-12张申申
45拉晶工艺的功率控制方法、装置、设备及计算机存储介质发明专利公布CN202511996021.82025-12-26CN121675079A2026-03-17杨文武、宁沛娜
46绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511982090.32025-12-25CN122073993A2026-05-22李娟、兰洵、蒋治国
47半导体晶圆及其处理方法和系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511982083.32025-12-25CN122073964A2026-05-22李娟、蒋治国、兰洵
48绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511982091.82025-12-25CN122073994A2026-05-22李娟、兰洵、蒋治国
49双面抛光方法及设备、计算设备、介质及抛光晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202511961424.92025-12-24CN122008066A2026-05-12潘石、刘还平、白强强、王明
50一种晶圆的抛光方法以及晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202511956856.02025-12-23CN121941286A2026-04-28贾磊、杨新元、王明

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