6月13日消息，国家知识产权局信息显示，江苏捷捷微电子股份有限公司申请一项名为“基于磁耦合动态调制的可控硅触发控制系统及方法”的专利。申请公布号为CN122204020A，申请号为CN202610259447.3，申请公布日期为2026年6月12日，申请日期为2026年3月4日，发明人唐椿琛、龚雨桃，专利代理机构江苏南通启海专利商标代理事务所（普通合伙），专利代理师陈杰，分类号H03K17/22、H03K17/90。
专利摘要显示，本发明公开了基于磁耦合动态调制的可控硅触发控制系统及方法，涉及电力电子技术领域，该系统包括：控制单元，用于基于电网电压的过零同步信号生成触发指令，编码调制为高频调制信号；并根据环境噪声与触发反馈，自适应调整编码调制参数；磁通调制单元，用于接收高频调制信号，并将调制信号转换为时变调制磁场；磁耦合通道，用于通过闭合磁路约束磁通调制单元生成的时变调制磁场，并将时变调制磁场耦合至接收侧；信号解调与触发单元，用于感应磁耦合通道中的时变调制磁场，将时变调制磁场解调、调理并整形为触发信号；并进行功率放大，生成触发脉冲。本发明通过物理层、信号层、电路层三重防御机制，免疫了传统光耦的共模噪声耦合问题。
捷捷微电成立于1995年3月29日，于2017年3月14日在深圳证券交易所上市，注册地址和办公地址均为江苏省启东市。公司是国内功率半导体分立器件领域的重要企业，技术实力较强，产品应用广泛，具有一定的市场竞争力。
捷捷微电主营业务为功率半导体分立器件的研发、设计、生产和销售，所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，涉及IGBT概念、氮化镓、碳化硅等概念板块。
2025年，捷捷微电营业收入34.94亿元，在行业18家公司中排名第5，行业第一名*ST闻泰为312.53亿元，第二名士兰微为130.52亿元，行业平均数为39.84亿元，中位数为13亿元。主营业务构成中，功率半导体器件22.37亿元占比64.01%，功率半导体芯片11.87亿元占比33.98%，其他(补充)4548.75万元占比1.30%，功率器件封测2465.77万元占比0.71%。净利润方面，2025年公司实现净利润4.76亿元，行业排名第2，行业第一名扬杰科技为12.45亿元，行业平均数为 - 3.38亿元，中位数为5933.85万元。
江苏捷捷微电子股份有限公司近期专利情况如下：
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种双台面双沟槽的台面可控硅及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610578349.6 | 2026-04-29 | CN122121192A | 2026-05-29 | 王楠、杨政飞、彭鑫葆、张翼、王旭、吴肇兴 |
| 2 | 一种具有复合沟槽终端结构的双向可控硅及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610445047.1 | 2026-04-07 | CN121985547A | 2026-05-05 | 杨政飞、王楠、彭鑫葆、张翼 |
| 3 | 基于磁耦合动态调制的可控硅触发控制系统及方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610259447.3 | 2026-03-04 | CN122204020A | 2026-06-12 | 唐椿琛、龚雨桃 |
| 4 | 一种台面型半导体器件的制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610077185.9 | 2026-01-21 | CN121568532B | 2026-04-24 | 唐椿琛、张翼 |
| 5 | 一种新型钝化结构的台面可控硅及其制备方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202511038229.9 | 2025-07-28 | CN120565509A | 2025-08-29 | 彭鑫葆、唐椿琛、牟佳伟 |
| 6 | 一种晶圆键合强度表征方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202511038292.2 | 2025-07-28 | CN120542337B | 2025-09-30 | 陈英杰 |
| 7 | 一种纵向结构对称的双向可控硅 | 实用新型 | 授权 | CN202521202177.X | 2025-06-12 | CN224165045U | 2026-04-24 | 陈英杰 |
| 8 | 基于非线性半导体温控特性的可控硅自适应节能触发电路及系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510755341.8 | 2025-06-06 | CN120729272A | 2025-09-30 | 唐椿琛 |
| 9 | 光电耦合器件封装壳体 | 外观专利 | 授权 | CN202530325322.2 | 2025-06-06 | CN309709457S | 2025-12-30 | 张正荣、王攀杰、王浏浏、梁玉清 |
| 10 | Stoll封装的MOS管温度测试结构及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510729760.4 | 2025-06-03 | CN120261410B | 2025-08-12 | 李小建、杨芹、侯辉、沈慧慧、王欣宇 |
| 11 | 检测可控硅通态电流临界上升率的测试装置及测试方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510679455.9 | 2025-05-26 | CN120195527B | 2025-08-15 | 梁玉清、张正荣、颜呈祥 |
| 12 | 一种三极管触发的集成可控硅 | 实用新型 | 授权 | CN202520871329.9 | 2025-04-30 | CN224069036U | 2026-03-31 | 陈英杰、牟佳伟 |
| 13 | 一种高dv/dt的可控硅集成芯片及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510518737.0 | 2025-04-24 | CN120035205B | 2025-06-24 | 陈英杰、唐椿琛 |
| 14 | 一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510519757.X | 2025-04-24 | CN120035191B | 2025-07-22 | 陈英杰、彭鑫葆 |
| 15 | 一种台面可控硅玻璃钝化层的上粉方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510480780.2 | 2025-04-16 | CN120280356A | 2025-07-08 | 唐椿琛、彭鑫葆、牟佳伟 |
| 16 | 功率器件封装外壳 | 外观专利 | 授权 | CN202530150281.8 | 2025-03-25 | CN309622171S | 2025-11-21 | 张正荣、王浏浏、颜呈祥 |
| 17 | 功率半导体分立器件（MOSFET-散热款） | 外观专利 | 授权 | CN202430834629.0 | 2024-12-30 | CN309505115S | 2025-09-19 | 刘春森 |
| 18 | 一种适用多款MOS芯片封装结构 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411702811.6 | 2024-11-26 | CN119480838A | 2025-02-18 | 刘春森、徐洋、庄肇嵘、周夏楠 |
| 19 | 一种适用多款MOS芯片封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202422894383.3 | 2024-11-26 | CN223462224U | 2025-10-21 | 刘春森、徐洋、庄肇嵘、周夏楠 |
| 20 | 一种改善芯片受热及应力的铜引线片封装结构 | 实用新型 | 授权 | CN202422888296.7 | 2024-11-26 | CN223462221U | 2025-10-21 | 周夏楠、徐洋、庄肇嵘、刘春森 |
| 21 | 带交流过零检测功能的可控硅驱动芯片及应用电路 | 实用新型 | 授权 | CN202422258286.5 | 2024-09-14 | CN223218996U | 2025-08-12 | 张正荣 |
| 22 | 一种混合栅IGBT结构及其制备方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202411034963.3 | 2024-07-31 | CN118969828A | 2024-11-15 | 黄健、叶士杰、陈宏、郭亚楠、刘洋、刁绅、皮彬彬 |
| 23 | 一种SiC基RC-IGBT的结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权 | CN202411034975.6 | 2024-07-31 | CN118969829B | 2025-12-26 | 黄健、叶士杰、陈宏、郭亚楠、刘洋、刁绅、皮彬彬 |
| 24 | 一种抑制短路电流丝失效的IGBT结构 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202411020359.5 | 2024-07-29 | CN118969826A | 2024-11-15 | 黄健、郭亚楠、陈宏、叶士杰、刘洋、刁绅、皮彬彬 |
| 25 | 一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411013548.X | 2024-07-26 | CN118969825A | 2024-11-15 | 黄健、叶士杰、陈宏、郭亚楠、刘洋、刁绅、皮彬彬 |
| 26 | 一种BMS用MOS管的保护电路 | 实用新型 | 授权 | CN202421736757.2 | 2024-07-22 | CN222884347U | 2025-05-16 | 李立 |
| 27 | 一种智能IPM电压保护方法及系统 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202410838337.3 | 2024-06-26 | CN118763599A | 2024-10-11 | 刘洋、陈宏、黄健、刁绅、皮彬彬、郭亚楠、叶士杰 |
| 28 | 基于555定时器组成的重复雪崩能量测试电路及系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410743122.3 | 2024-06-11 | CN118707277A | 2024-09-27 | 李小建、张正荣、杨芹 |
| 29 | 基于555定时器组成的重复雪崩能量测试电路及系统 | 实用新型 | 授权 | CN202421328609.7 | 2024-06-11 | CN223166862U | 2025-07-29 | 李小建、张正荣、杨芹 |
| 30 | 一种新型双通道输入控制光耦器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202410665782.4 | 2024-05-27 | CN118534593A | 2024-08-23 | 李小建、覃峰 |
| 31 | 一种新型双通道输入控制光耦器件 | 实用新型 | 授权、公布 | CN202421178979.7 | 2024-05-27 | CN222280899U | 2024-12-31 | 李小建、覃峰 |
| 32 | 一种新型复合老化测试板 | 实用新型 | 授权 | CN202421171811.3 | 2024-05-27 | CN222838151U | 2025-05-06 | 李小建、杨芹 |
| 33 | 一种横向结构的可控硅芯片及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202410350377.3 | 2024-03-26 | CN117954483B | 2024-06-14 | 陈英杰、张翼、朱法扬 |
| 34 | 一种可以抑制Snapback现象的RC-IGBT结构 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202311854521.9 | 2023-12-29 | CN117766575A | 2024-03-26 | 郭亚楠、陈宏、黄健、叶士杰、刘洋、刁绅、皮彬彬 |
| 35 | 一种安全的光伏组件关断方法及光伏系统 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202311865645.7 | 2023-12-29 | CN117810902A | 2024-04-02 | 刘洋、陈宏、黄健、刁绅、皮彬彬、郭亚楠、叶士杰 |
| 36 | 一种带有超结结构的屏蔽栅IGBT | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311854553.9 | 2023-12-29 | CN117766576B | 2024-09-24 | 郭亚楠、陈宏、黄健、叶士杰、刘洋、皮彬彬、刁绅 |
| 37 | 一种高精度的碳化硅模块温度保护方法及系统 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311816066.3 | 2023-12-27 | CN117784846B | 2024-07-30 | 刘洋、陈宏、黄健、皮彬彬、刁绅、叶士杰、郭亚楠 |
| 38 | 一种电容可调的SGTIGBT结构及制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311772446.1 | 2023-12-21 | CN117712156B | 2024-07-02 | 郭亚楠、陈宏、黄健、叶士杰、刘洋、刁绅、皮彬彬 |
| 39 | 一种门极和阳极共面的双向可控硅芯片及其制造方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202311456948.3 | 2023-11-03 | CN117174747B | 2024-03-08 | 朱法扬、俞荣荣、彭鑫葆 |
| 40 | 一种多功能的可控硅 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202311446010.3 | 2023-11-02 | CN117176126A | 2023-12-05 | 张正荣、颜呈祥、朱法扬 |
| 41 | 一种集成式多路可控硅 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202311299267.0 | 2023-10-09 | CN117038653A | 2023-11-10 | 张正荣、颜呈祥、朱法扬 |
| 42 | 一种硅胶垫块键合治具 | 实用新型 | 授权 | CN202322133419.1 | 2023-08-09 | CN220543838U | 2024-02-27 | 李勤建、袁晨、晏长春、任文豪、陈剑 |
| 43 | 一种免清洗铝带劈刀 | 实用新型 | 授权 | CN202322133278.3 | 2023-08-09 | CN220856493U | 2024-04-26 | 李勤建、袁晨、晏长春、任文豪、陈剑 |
| 44 | 一种从框架完整取料的多用途冲压治具 | 实用新型 | 授权 | CN202322090347.7 | 2023-08-04 | CN220426493U | 2024-02-02 | 袁晨、晏长春、任文豪、李勤建、严巧成、周磊 |
| 45 | 一种半自动光学目检治具 | 实用新型 | 授权 | CN202321945206.2 | 2023-07-24 | CN220542807U | 2024-02-27 | 袁晨、晏长春、严巧成、李勤建、陈旭、周磊 |
| 46 | 一种半导体测试程序自动化调用方法和系统 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202310679092.X | 2023-06-09 | CN116737561A | 2023-09-12 | 杨建、晏长春、任文豪、丁长锋、卢登辉 |
| 47 | 一种功率铜片产品塑封填充结构 | 实用新型 | 授权 | CN202321442904.0 | 2023-06-08 | CN220021105U | 2023-11-14 | 梁光毅、宴长春、任文豪、徐和生、李兵、向晨 |
| 48 | 一种新型HTRB老化PCB测试板 | 实用新型 | 授权 | CN202321264788.8 | 2023-05-24 | CN220252101U | 2023-12-26 | 李小建、杨芹、侯辉、钱凌峰、金星宇 |
| 49 | 一种制备阶梯形沟槽半导体器件的工艺方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202211464587.2 | 2022-11-22 | CN115841989A | 2023-03-24 | 张楠、黄健、孙闫涛、顾昀浦、宋跃桦、刘静、吴平丽 |
| 50 | 一种集成晶圆与芯片电子视图的云储存和标识追溯方法及系统 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202211322672.5 | 2022-10-27 | CN115631167B | 2025-06-10 | 袁晨、李勤建、陈金堂 |
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