格隆汇1月17日｜据西安电子科技大学消息，该校郝跃院士团队突破了20年的半导体材料技术瓶颈，让芯片散热效率与综合性能实现飞跃性提升，为解决各类半导体材料高质量集成问题提供了可复制的中国范式。相关成果日前发表在国际顶级期刊《自然·通讯》和《科学进展》上。 西安电子科技大学副校长、教授张进成称，“热量散不出去可能导致芯片性能下降甚至器件烧毁。” 团队创新性地在第三代半导体芯片晶体上注入高能离子，让晶体成核层表面变得光滑。这一突破将半导体热阻降至原来的三分之一，解决了第三代乃至未来半导体芯片面临的散热难题。 同时，该项突破让半导体器件性能大幅提升。