近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，深圳市励创微电子有限公司提交的“LC20N36A半导体场效应管”布图设计正式获得国家知识产权局发布的集成电路布图设计专有权公告，标志着该企业在功率半导体器件领域的自主研发成果得到官方知识产权层面的正式确认。此次布图设计专有权的获批，将为深圳市励创微电子有限公司相关产品的市场推广与权益保护提供坚实的制度支撑，进一步巩固其在细分半导体赛道的技术竞争优势。

项目	详情
发布时间	2026年9月
布图设计登记号	BS.265585112
布图设计申请日	2026年5月14日
公告日期	2026年9月4日
公告号	99104
布图设计名称	LC20N36A半导体场效应管
布图设计权利人	深圳市励创微电子有限公司
布图设计创作人	谢大盛
布图设计创作完成日	2025年1月8日

本次国家知识产权局相关公告的发布时间为2026年9月，该布图设计的登记号为BS.265585112，企业于2026年5月14日正式提交布图设计专有权申请，最终于2026年9月4日完成公告流程，对应的公告号为99104。本次获得专有权的布图设计全称为LC20N36A半导体场效应管，专有权归属深圳市励创微电子有限公司，该布图设计由谢大盛主导完成创作，创作完成日为2025年1月8日，且该布图设计已于2025年5月13日启动首次商业利用，从研发落地到市场化布局形成了完整的成果转化链条。

天眼查数据显示，深圳市励创微电子有限公司成立日期2008年4月3日，法定代表人任仕鼎，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业类型为有限责任公司，企业规模为小型，参保人数0人，注册资本6000万人民币，实缴资本5853.355万人民币，注册地址为深圳市南山区西丽街道西丽社区打石一路深圳国际创新谷1栋B座1201和1204。股东信息如下：

股东名称	持股比例	认缴出资额（万元）	认缴出资日期
任仕鼎	66.9687%	4018.125万元人民币	2023年5月8日
马国慧	17%	1020万元人民币	2023年5月8日
谢大盛	8%	480万元人民币	2021年9月15日
尚伟	3.5%	210万元人民币	2021年9月15日
叶王桂	2%	120万元人民币	2021年9月15日
吴文龙	1%	60万元人民币	2021年9月15日
孙静	1%	60万元人民币	2021年9月15日
汤爱民	0.5313%	31.875万元人民币	2021年9月15日

点评分析

此次励创微电子的LC20N36A半导体场效应管布图设计获国家知识产权局专有权认定，是其功率半导体领域自研成果的官方确权。该权利将为相关产品的市场推广筑牢知识产权保护屏障，夯实细分赛道的技术竞争优势，完善从研发到商业化的成果转化闭环，为企业后续技术迭代与市场拓展提供有力支撑。

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