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奕斯伟材料申请硅片抛光相关专利,该抛光方法可稳速率并提升工件表面平整度

8月26日消息,国家知识产权局信息显示,西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“抛光方法、抛光系统及硅片”的专利。申请公布号为CN122606459A,申请号为CN202610802574.3,申请公布日期为2026年8月21日,申请日期为2026年6月4日,发明人张越、刘还平、宋国岗、方圭哲,专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师侯丽丽、沈寒酉,分类号B24B37/005、B24B37/04、B24B37/34、B24B57/02、B24B49/00、B24B51/00、B24B1/00、H10P52/40。

专利摘要显示,本公开提供了抛光方法、抛光系统及硅片,该抛光方法包括,获取待抛光工件的中心区域的移除量与边缘区域的移除量的比例关系;根据所述比例关系,确定碱性物质的添加量、第一预设时间段以及第二预设时间段;在将浆料原液与稀释剂混合之后,等待所述第一预设时间段,得到浆料基液;在按照所述添加量向所述浆料基液中添加所述碱性物质之后,等待所述第二预设时间段,得到所述抛光液;以及利用所述抛光液对所述待抛光工件进行抛光。该抛光方法使得抛光液的制备过程能够与待抛光工件的移除量分布需求相匹配,有助于维持抛光过程中移除速率的稳定性,并使抛光后工件的表面平整度符合预设目标。

西安奕材是国内半导体硅片领域核心厂商,专注12英寸硅片研发生产,具备全产业链布局优势。公司成立于2016年3月16日,2025年10月28日登陆上海证券交易所,注册及办公地点均位于陕西省西安市。

公司主营业务为专注于12英寸硅片的研发、生产和销售,所属申万行业为电子-半导体-半导体材料,同时覆盖MCU概念、半导体、存储概念三大概念板块。

2026年上半年,西安奕材实现营业收入15.89亿元,在23家同行业可比公司中排名第7,高于13.52亿元的行业平均水平与6.68亿元的行业中位数,同期行业营收前两名分别为有研新材61.58亿元、雅克科技45.13亿元。营收结构方面,半导体硅测试片贡献收入5.77亿元,占比36.30%;半导体硅抛光片贡献收入5.21亿元,占比32.78%;半导体硅外延片贡献收入4.88亿元,占比30.72%,其中高端测试片实现收入2.85亿元,占总营收比重17.97%,其他业务收入337.29万元,占比0.21%。当期公司净利润为-2.89亿元,在23家同行业可比公司中排名第22,低于6180.1万元的行业平均水平与7296.24万元的行业中位数,同期行业净利润前两名分别为雅克科技6.37亿元、江丰电子4.72亿元。

指标类别 具体指标 数值情况 行业排名/总样本数 行业对标参考值
营收表现 2026年上半年营业收入 15.89亿元 7/23 行业第一61.58亿元、行业第二45.13亿元、行业平均13.52亿元、行业中位数6.68亿元
营收构成 半导体硅测试片收入及占比 5.77亿元,占比36.30% - -
营收构成 半导体硅抛光片收入及占比 5.21亿元,占比32.78% - -
营收构成 半导体硅外延片收入及占比 4.88亿元,占比30.72% - -
营收构成 其中高端测试片收入及占比 2.85亿元,占比17.97% - -
营收构成 其他业务收入及占比 337.29万元,占比0.21% - -
利润表现 2026年上半年净利润 -2.89亿元 22/23 行业第一6.37亿元、行业第二4.72亿元、行业平均6180.1万元、行业中位数7296.24万元

西安奕斯伟材料科技股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1对齐度测量装置和对齐度测量方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610826726.32026-06-09CN122505132A2026-08-04陈文洁
2一种热补偿方法和热补偿装置发明专利公布CN202610810772.42026-06-05CN122425806A2026-07-21齐凌博、王刚、吴志刚
3抛光方法、抛光系统及硅片发明专利公布CN202610802574.32026-06-04CN122606459A2026-08-21张越、刘还平、宋国岗、方圭哲
4一种用于制备硅片样品的自动化系统、方法及介质发明专利公布CN202610678751.12026-05-18CN122612306A2026-08-21史铁柱、庞鲁、王龙
5晶圆放置监测装置、方法、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610674767.52026-05-15CN122514215A2026-08-04张申申
6晶圆边缘磨轮的设计参数确定方法、设备及介质发明专利公布CN202610674985.92026-05-15CN122571809A2026-08-14袁力军、李彤、兰洵、张婉婉、李安杰
7外延片的制备方法、外延片及外延生长设备发明专利公布CN202610661915.X2026-05-14CN122484906A2026-07-31卢旭辉、贾帅
8外延片的制备方法、外延片及外延生长设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610657450.02026-05-13CN122503940A2026-08-04杨晨辉、贾帅、卢旭辉
9采样设备、监测系统及挥发性有机物的采样方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610490677.02026-04-14CN122329768A2026-07-03卓倩倩、齐凌博
10晶圆缺陷检测方法、装置及计算设备发明专利公布CN202610491002.82026-04-14CN122438553A2026-07-21王昭、庞鲁
11用于调整外延反应腔内基座位置的方法及控制设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610461476.82026-04-09CN122406367A2026-07-17口彦龙、贾帅、杨晨辉、刘世雄
12外延片生长方法、外延片生长设备以及外延片发明专利实质审查的生效、公布CN202610384651.82026-03-26CN122169208A2026-06-09梁鹏欢、张海洋
13外延片生产方法以及外延片发明专利实质审查的生效、公布CN202610384646.72026-03-26CN122169207A2026-06-09梁鹏欢
14外延片的制备方法、外延片及外延生长设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610384533.72026-03-26CN122304021A2026-06-30梁鹏欢、张海洋
15外延过程中改善硅片的颗粒污染的方法、系统及外延片发明专利实质审查的生效、公布CN202610384864.02026-03-26CN122304024A2026-06-30王娜、金柱炫、俎世琦
16外延片的制备方法以及外延片发明专利实质审查的生效、公布CN202610384655.62026-03-26CN122466555A2026-07-28梁鹏欢、张海洋
17预测衬底硅片外延形貌及对衬底硅片进行外延工艺的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610375686.52026-03-25CN122262621A2026-06-23田雨欣、兰洵、邹永鑫、李安杰、张婉婉
18协同控制体微缺陷的直拉硅单晶生长方法、装置及硅晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202610368132.22026-03-24CN122013300A2026-05-12毛勤虎
19晶圆局部形貌风险的评估方法和系统、设备、介质和产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610367443.72026-03-24CN122249026A2026-06-19马强强、李康康
20筛选方法、处理方法、晶圆、筛选装置、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610367465.32026-03-24CN122270122A2026-06-23齐凌博、卓倩倩
21动态热场调控方法、单晶炉控制系统及计算机存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610354775.12026-03-23CN122189855A2026-06-12郭宏雁、潘浩、张鹏举
22一种加料角度调节方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610350636.12026-03-20CN121931593A2026-04-28赵嘉诚
23一种拉晶收尾控制方法、装置及计算机存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610346713.62026-03-20CN121931597A2026-04-28杨文武、宁沛娜
24单晶生长方法及设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610345729.52026-03-20CN121931595A2026-04-28潘浩、石小磊
25一种晶体生长控制方法、装置及单晶硅生长炉发明专利实质审查的生效、公布CN202610346716.X2026-03-20CN121931598A2026-04-28杨文武、宁沛娜
26一种研磨定盘及研磨设备、研磨方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610347640.22026-03-20CN122008064A2026-05-12章晓东
27抛光机、抛光垫检测方法、装置、检测设备、产品及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610345452.62026-03-20CN122008069A2026-05-12杨鑫卓
28一种加热系统、方法及单晶硅生长装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610349958.42026-03-20CN122039199A2026-05-15潘浩、王浩、孙洪涛
29一种拉制单晶硅棒的方法、系统及晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202610346714.02026-03-20CN122082099A2026-05-26杨文武、宁沛娜
30用于消除外延片背面光环缺陷的半导体工艺设备及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610346954.02026-03-20CN122214839A2026-06-16刘晨阳、王力、王雄
31晶圆划伤检测方法、装置及计算设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610295157.42026-03-11CN122222946A2026-06-16郭宏雁、林可、高坤、李康康
32外延片的制备方法、外延片以及外延生长设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610286950.82026-03-10CN122215064A2026-06-16梁鹏欢、张海洋
33一种晶圆形貌分类的方法、装置、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610269906.62026-03-06CN122049540A2026-05-15李彤、兰洵、袁力军、李安杰、张婉婉
34一种单晶炉及单晶炉拉晶方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610269904.72026-03-06CN122105602A2026-05-29邹永鑫、郝昭慧、兰洵
35一种拉制晶棒的方法以及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610271370.12026-03-06CN122105603A2026-05-29杨文武、宁沛娜
36拉晶方法、装置、系统及单晶硅发明专利实质审查的生效、公布CN202610271117.62026-03-06CN122105606A2026-05-29蔡媛媛、张波娟、赵恒
37半导体晶棒生长工艺的缺陷检测方法、装置及计算设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610270993.72026-03-06CN122108959A2026-05-29蔡媛媛
38晶圆参数预测方法、装置及计算设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610272987.52026-03-06CN122153650A2026-06-05田雨欣、兰洵、张婉婉、李安杰、邹永鑫
39一种晶圆边缘检测方法、系统及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610266422.62026-03-05CN122227930A2026-06-16郑文腾
40用于晶圆的处理方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610260414.02026-03-04CN122227968A2026-06-16张申申
41晶圆、检测晶圆边缘形貌的方法、装置及晶圆制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610258367.62026-03-04CN122227928A2026-06-16薛浩波、张婉婉、袁力军
42一种半导体拉晶用石英坩埚的防倾斜支撑装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610248184.62026-03-02CN122082097A2026-05-26龙飞
43切割方法和装置、晶圆、存储介质及程序产品和电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610248434.62026-03-02CN122210797A2026-06-16朱海海
44一种单晶硅生长控制方法、装置、设备及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610235688.42026-02-27CN122358308A2026-07-10郭宏雁、潘浩、张鹏举
45半导体晶圆的表面处理方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610236149.22026-02-27CN122373714A2026-07-10王颖、左斌、陈海龙、张树星、夏新超
46单晶炉及单晶炉排气管道的清洁方法、装置及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610161883.72026-02-04CN122105601A2026-05-29彭标、孙洪涛、纪天平、姜辉
47一种晶圆清洗缺陷溯源锁定系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610149171.32026-02-03CN122180366A2026-06-09要佳兴、马成琛
48晶棒处理设备和晶棒处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610120374.X2026-01-28CN121945472A2026-05-01郭宏雁、黄兆皓
49一种实时调节清洗加工参数的清洗系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610108240.62026-01-27CN122161377A2026-06-05默玉海、周铖、陈祖庆
50搬运指令生成方法、系统、装置及计算设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610100691.52026-01-26CN122085903A2026-05-26刘洋、魏洋、李昊

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