观点网讯：8月23日，半导体研究机构SemiAnalysis发文指出，3D NAND闪存堆叠层数突破约300层后，传统钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面触及物理极限，钼成为高层数NAND不可避免的替代材料。
三星已于2024年量产钼工艺NAND闪存，美光计划2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺NAND闪存产品。
SemiAnalysis估计，钼在全球NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比增长至2027年的约30%。
该机构预测，2027年NAND钼沉积设备市场规模可能超过10亿美元；若DRAM与逻辑芯片逐步采用钼制程，整体钼沉积设备市场到2030年可能成长至每年约20亿美元。
设备供应商方面，泛林集团预期将率先受惠，东京电子紧随其后，应用材料、阿斯麦及北方华创或更多受惠于后续DRAM及逻辑芯片导入钼制程的需求。
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