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扬杰电子杰冠微申请SiC MOSFET器件相关专利，优化SiC MOSFET特性，保障器件长期可靠性

创始人 更新于 2026-08-22 09:12:50 首发于 2026-08-22 09:14:25 街坊资讯 0

8月22日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司、扬州杰冠微电子有限公司申请一项名为“一种提升二极管反向恢复特性的SiC MOSFET器件及制备方法”的专利。申请公布号为CN122602542A，申请号为CN202610949609.6，申请公布日期为2026年8月18日，申请日期为2026年6月29日，发明人王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅，专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师郭翔，分类号H10D30/63、H10D30/01、H10D62/10、H10D64/27、H10D84/00。

专利摘要显示，一种提升二极管反向恢复特性的SiC MOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。包括从下往上依次叠设的漏极金属层、N型衬底、第一N型漂移层、第二N型漂移层、P‑body区、P+接触区、欧姆接触合金层和源极金属层；所述第二N型漂移层顶面中部设有向下延伸的P++层；所述P+接触区顶面设有延伸至所述P++层（4）内的沟槽区；所述沟槽区内设有栅氧层；所述栅氧层内设有填充的多晶硅栅；所述沟槽区两侧设有从P+接触区顶面向下延伸至所述P‑body区内的N+区；所述P+接触区上沉积有隔离介质层，所述隔离介质层完全覆盖所述多晶硅栅与栅氧层的顶端表面。本发明能减小载流子的深层扩散，使载流子的复合更好地分布在PN结的表面区域，保障器件长期可靠性。

扬杰科技是国内功率半导体领域领先企业，专注于功率半导体全产业链布局，技术壁垒深厚，2006年8月2日成立，2014年1月23日于深圳证券交易所上市，注册地与办公地均位于江苏省扬州市。

公司主营业务集研发、生产、销售于一体，专业布局功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域，所属申万行业为电子-半导体-分立器件，同时覆盖功率半导体、第三代半导体、碳化硅等热门概念板块。

2026年上半年，扬杰科技实现营业收入45.15亿元，在所属7家同行业企业中位列第一，大幅领先第二名捷捷微电的21.14亿元，远超14.47亿元的行业平均水平与7.36亿元的行业中位数；同期实现净利润7.57亿元，同样在7家同行业企业中排名首位，显著高于第二名捷捷微电的2.97亿元，较1.07亿元的行业平均数、4250.26万元的行业中位数优势突出。公司主营业务收入构成中，半导体器件贡献40.25亿元，占比89.15%；半导体芯片贡献2.79亿元，占比6.17%；半导体硅片贡献1.1亿元，占比2.44%；其他业务贡献1.01亿元，占比2.24%。

指标类别 具体指标 数值 行业排名/对比情况
营收表现 2026年上半年营业收入 45.15亿元 1/7，高于行业均值14.47亿元、中位数7.36亿元，远超第二名捷捷微电21.14亿元
利润表现 2026年上半年净利润 7.57亿元 1/7，高于行业均值1.07亿元、中位数4250.26万元，远超第二名捷捷微电2.97亿元
营收结构 半导体器件收入及占比 40.25亿元，89.15% -
营收结构 半导体芯片收入及占比 2.79亿元，6.17% -
营收结构 半导体硅片收入及占比 1.1亿元，2.44% -
营收结构 其他业务收入及占比 1.01亿元，2.24% -

扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种提升二极管反向恢复特性的SiC MOSFET器件及制备方法发明专利公布CN202610949609.62026-06-29CN122602542A2026-08-18王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅
2一种垂直互连双面DBC铜柱整流桥封装结构发明专利公布CN202610769096.02026-05-31CN122458814A2026-07-24李佳欣、姚文康、王双、陈润生、王毅
3一种提高短路耐受能力的碳化硅MOS器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610748277.52026-05-28CN122421408A2026-07-17王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅
4一种具有ESD保护结构的高压碳化硅MOS器件及制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610748281.12026-05-28CN122458456A2026-07-24王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅
5一种低寄生电感功率二极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610593818.12026-04-30CN122340830A2026-07-03熊鹏程、徐雅超、周培培、赵振中、陈润生、王毅
6一种低应力高导热光伏旁路导电组件、二极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610585288.62026-04-29CN122396337A2026-07-14柏广绪、司天平、景昌忠、陈润生、王毅
7一种高功率密度三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610535598.72026-04-22CN122395972A2026-07-14代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
8一种应用于SIC MOS领域的封装框架、封装结构及散热装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610412210.42026-03-31CN122138725A2026-06-02熊鹏程、徐雅超、杨程、陈润生、王毅
9一种高功率密度TVS二极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610415630.82026-03-31CN122269779A2026-06-23熊鹏程、徐雅超、赵振中、陈润生、王毅
10一种Power DFN框架、封装体及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610286131.32026-03-10CN121985840A2026-05-05熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅
11封装体（Power DFN）外观专利授权CN202630104849.72026-03-10CN310125756S2026-07-31熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅
12一种三相半控整流桥复合封装及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511981365.12025-12-25CN121604824A2026-03-03张帅、姚文康、王双、陈润生、王毅
13一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511950595.12025-12-23CN121729076A2026-03-24熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅
14一种光伏旁路二极管模块加工工艺发明专利公布CN202511930765.X2025-12-19CN121693132A2026-03-17司天平、景昌忠、陈润生、王毅
15一种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液及分析方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511911493.92025-12-17CN121699615A2026-03-20李跃兵、王双、李长青、刘军、许愿、陈润生、王毅
16一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法发明专利公布CN202511407480.82025-09-29CN120980899A2025-11-18龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅
17一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407472.32025-09-29CN121152230A2025-12-16龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅
18一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407464.92025-09-29CN121240474A2025-12-30龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅
19一种平脚冲压框架及整流二极管实用新型授权CN202521849114.32025-08-29CN224611281U2026-08-07吕强、陈润生、王毅
20一种高功率密度三极管及制备方法发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN202511209188.52025-08-27CN120857527A2025-10-28代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
21一种高集电极电流三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207926.22025-08-27CN120916450A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
22一种高EAS能力的三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511208008.12025-08-27CN120916452A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
23一种高频和高增益三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207991.52025-08-27CN120916451A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
24一种高电流密度三极管及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207877.22025-08-27CN121057236A2025-12-02代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
25一种提高工作频率和增益系数的三极管实用新型授权CN202521832202.22025-08-27CN224538634U2026-07-21代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
26一种小型短引脚整流桥实用新型授权CN202521835452.12025-08-27CN224556281U2026-07-24聂磊、王双、姚文康、陈润生、王毅
27一种降低饱和电压三极管实用新型授权CN202521833868.X2025-08-27CN224653864U2026-08-18代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
28一种便捷式旁路保护器件的加工方法发明专利公布CN202511154480.12025-08-18CN121017690A2025-11-28李广源、梁欣源、陈润生、王毅
29光伏旁路器件实用新型授权CN202521754537.72025-08-18CN224459747U2026-07-03李广源、梁欣源、陈润生、王毅
30一种适用于光伏轴向二极管一贯机及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511145062.62025-08-15CN121011539A2025-11-25徐超、司天平、陈润生、王毅
31二极管擦字装置实用新型授权CN202521740722.02025-08-15CN224296845U2026-05-29徐超、司天平、陈润生、王毅
32二极管上料装置实用新型授权CN202521740725.42025-08-15CN224449345U2026-07-03徐超、司天平、陈润生、王毅
33二极管收料装置实用新型授权CN202521740719.92025-08-15CN224449543U2026-07-03徐超、司天平、陈润生、王毅
34一种SIC基半导体器件封装结构实用新型授权CN202521620095.72025-07-31CN224556273U2026-07-24熊鹏程、徐雅超、王毅、王正
35一种新型二极管金属线键合塑封一体机发明专利实质审查的生效、公布CN202510879767.42025-06-27CN120690730A2025-09-23耿印、王毅
36一种半导体塑封模具异物检测机构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510842518.82025-06-23CN120645350A2025-09-16刁卫斌、王毅
37一种二极管外观检测装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510826492.82025-06-19CN120539278A2025-08-26耿印、王毅
38一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202510793665.02025-06-13CN120637356A2025-09-12代书雨、徐雅超、王玉林、张敏、王毅
39一种抑制塑封分层的全包封框架及封装实用新型授权CN202521215415.02025-06-13CN224460572U2026-07-03代书雨、王玉林、张敏、王毅
40提升绝缘耐压能力的整流桥堆实用新型授权CN202521114013.12025-05-30CN224205650U2026-05-05邱力宸、王毅
41多引脚散热桥堆实用新型授权CN202521104107.02025-05-30CN224205649U2026-05-05姚文康、王双、吕强、王毅
42一种高效组装散热型整流桥实用新型授权CN202521104109.X2025-05-30CN224482060U2026-07-10王双、王毅
43一种改进半导体器件饱和压降的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510613311.32025-05-13CN120417408A2025-08-01龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅
44单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510148616.12025-02-11CN119704417A2025-03-28王鑫、王毅
45一种FRED半导体器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510126905.12025-01-27CN119947137A2025-05-06崔龙、王毅
46一种横向IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996035.52024-12-31CN119730275A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅
47一种横向平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996030.22024-12-31CN119730274A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅
48一种横向RC-IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996027.02024-12-31CN119730273A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅
49一种自带续流二极管的平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996043.X2024-12-31CN119730277A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅
50一种自带续流能力的IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996042.52024-12-31CN119730276A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅

天眼查数据显示，扬州杰冠微电子有限公司成立日期2022年12月14日，法定代表人梁勤，所属行业为其他制造业，企业规模为小型，注册资本50000万人民币，实缴资本50000万人民币，注册地址为扬州市邗江区汽车产业园新甘泉东路56号。扬州杰冠微电子有限公司共对外投资了0家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息0条，专利信息17条，拥有行政许可13个。

扬州杰冠微电子有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种提升二极管反向恢复特性的SiC MOSFET器件及制备方法发明专利公布CN202610949609.62026-06-29CN122602542A2026-08-18王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅
2一种提高短路耐受能力的碳化硅MOS器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610748277.52026-05-28CN122421408A2026-07-17王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅
3一种具有ESD保护结构的高压碳化硅MOS器件及制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610748281.12026-05-28CN122458456A2026-07-24王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅
4一种兼具低导通电阻与低热阻的SiC功率器件及制备工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202610138923.62026-01-31CN121751716A2026-03-27邱英强、杨亚峰、裘俊庆、陈润生、王毅
5一种低反向恢复损耗的SiC MPS芯片及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511578256.52025-10-31CN121419264A2026-01-27王正、杨程、裘俊庆、陈润生、王毅
6提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的碳化硅MOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411983531.72024-12-31CN119730288A2025-03-28王亚男、王正、王毅
7一种高栅氧强度的场效应晶体管器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411983834.92024-12-31CN119730289A2025-03-28王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅
8一种碳化硅MOSFET器件实用新型授权CN202423299997.32024-12-31CN223666687U2025-12-12王亚男、王正、王毅
9一种更高栅极保护作用的MOS器件实用新型授权CN202423295448.92024-12-31CN223694219U2025-12-19王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅
10一种提升沟槽形貌的碳化硅MOS器件制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411899265.X2024-12-23CN119604011A2025-03-11王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅
11一种深梯形P型结的碳化硅场效应晶体管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411899258.X2024-12-23CN119603988A2025-03-11王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅
12一种十字形碳化硅器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411899253.72024-12-23CN119604009A2025-03-11王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅
13一种改善开关损耗的SiCMOSFET器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411899237.82024-12-23CN119604014A2025-03-11朱秀梅、杨程、裘俊庆、王毅
14一种元胞布局器件实用新型授权CN202423172876.22024-12-23CN223613742U2025-11-28王正、杨程、裘俊庆、万胜堂、王坤、王毅
15一种集成反向续流二极管的沟槽SiCMOSFET器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411688804.52024-11-25CN119325249A2025-01-17朱秀梅、杨程、裘俊庆、王毅
16减少双极退化风险的SiCMOSFET器件实用新型授权CN202422868330.42024-11-25CN223503286U2025-10-31朱秀梅、杨程、裘俊庆、王毅
17沟槽型碳化硅JBS二极管器件实用新型专利申请权、专利权的转移、授权CN202322893078.82023-10-27CN221176231U2024-06-18王坤、杨程、万胜堂、王正、陈鸿骏、赵耀、王毅

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