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成都方舟微电子集成电路布图设计获国家知识产权局公告

近日,国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示,成都方舟微电子有限公司提交的“FTX30P35G MOSFET器件版图”布图设计正式进入专有权公告序列,相关登记流程已完成法定公示环节。本次公告由国家知识产权局依照《集成电路布图设计保护条例》相关规定发布,标志着该款功率半导体器件的核心版图设计获得官方知识产权确权,将为企业后续的产品市场化推广、技术权益维护提供合规的法定支撑。

此次布图设计的公告落地,将进一步完善成都方舟微电子在功率MOSFET领域的自主知识产权矩阵,强化其在相关细分赛道的技术竞争壁垒。

项目详情
发布时间2026年8月
布图设计登记号BS.265543975
布图设计申请日2026年3月31日
公告日期2026年8月19日
公告号98665
布图设计名称FTX30P35G MOSFET器件版图
布图设计权利人成都方舟微电子有限公司
布图设计创作人成都方舟微电子有限公司
布图设计创作完成日2025年12月20日

从本次披露的公告细节来看,该布图设计相关信息的发布时间为2026年8月,对应的布图设计登记号为BS.265543975,企业于2026年3月31日正式提交该布图设计的登记申请,国家知识产权局于2026年8月19日完成本次专有权的公告流程,对应公告号为98665。本次获公告的布图设计全称为FTX30P35G MOSFET器件版图,权利人为成都方舟微电子有限公司,该布图设计由企业自主完成研发创作,创作完成日为2025年12月20日,从创作完成到提交申请再到最终公告的全流程,也体现了企业对自身半导体核心设计成果的知识产权布局节奏。

天眼查数据显示,成都方舟微电子有限公司成立日期2008年1月21日,法定代表人张少锋,所属行业为软件和信息技术服务业,企业类型为有限责任公司(自然人投资或控股),企业规模为小型,参保人数11人,注册资本3000万人民币,实缴资本650万人民币,注册地址为成都高新区紫荆东路9号。股东信息如下:

股东名称持股比例认缴出资额(万元)认缴出资日期
何锋61.29%1838.7万元人民币2038年6月29日
张少锋38.71%1161.3万元人民币2038年6月29日

点评分析
本次成都方舟微电子的FTX30P35G MOSFET器件版图获国知局集成电路布图设计专有权公告,核心设计成果得到官方知识产权确权。这既为企业后续产品市场化推广、技术权益维权提供了合规法定支撑,也进一步完善了其在功率MOSFET领域的自主知识产权矩阵,有效强化了细分赛道的技术竞争壁垒。

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