近日，国家知识产权局集成电路布图设计专有权公告信息显示，厦门海洋职业技术学院提交的名为“10A 650V IGBT”的集成电路布图设计正式获得国家知识产权局的布图设计专有权公告，标志着该院校在功率半导体核心器件布图设计领域的自主研发成果得到官方权威认可。本次公告的发布，也体现出国内职业院校在集成电路应用型技术研发赛道的持续深耕，为产教融合落地半导体细分领域提供了新的实践样本。

该成果的获批将进一步夯实厦门海洋职业技术学院在电力电子器件相关领域的科研积累，为后续相关技术的产业化转化、校企协同创新合作提供核心知识产权支撑。

项目	详情
发布时间	2026年8月14日
布图设计登记号	BS.265546184
布图设计申请日	2026年4月2日
公告日期	2026年8月14日
公告号	98610
布图设计名称	10A 650V IGBT
布图设计权利人	厦门海洋职业技术学院
布图设计创作人	陈利、陈瑞森
布图设计创作完成日	2025年10月9日

从本次公开的公告细节来看，该集成电路布图设计的创作完成日为2025年10月9日，由陈利、陈瑞森两名研发人员主导完成，权利人归属厦门海洋职业技术学院。该布图设计于2026年4月2日正式提交申请，经国家知识产权局审核后，于2026年8月14日完成公告，对应公告号为98610，正式登记号为BS.265546184。本次获公告的布图设计聚焦10A 650V规格的IGBT器件，这类器件是工业控制、新能源电力变换等场景的核心功率部件，相关自主布图设计成果的落地，也为国内职业院校参与半导体核心技术攻关提供了可参考的实践路径。

成果意义点评
本次10A 650V IGBT布图设计获官方授权，标志着院校功率半导体核心器件研发能力获权威认可，夯实了其电力电子领域科研积累，为后续技术产业化转化、校企协同创新筑牢核心知识产权底座，也为半导体领域产教融合落地提供了全新实践样本。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文由AI大模型基于公开信息生成，不代表Hehson财经观点。文中所有信息、数据及图表仅供参考，不构成任何形式的投资建议或决策依据，相关信息以实际公告为准。如有疑问，请联系：biz@staff.sina.com.cn。