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中欣晶圆申请磨轮磨损评估相关专利，提升磨轮牙齿边缘识别及磨损评估精度

创始人 更新于 2026-07-04 10:54:21 首发于 2026-07-04 10:55:31 街坊资讯 0

7月4日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“研磨机磨轮牙齿边缘视觉识别与磨损程度评估算法”的专利。申请公布号为CN122335698A，申请号为CN202610381764.2，申请公布日期为2026年7月3日，申请日期为2026年3月26日，发明人冯黎明，专利代理机构杭州融方专利代理事务所（普通合伙），专利代理师沈相权，分类号G06T7/00、H10P52/00、H10P72/00、H10P74/20、H10P74/00、G06T7/62、G06T7/64、G06V10/25、G06V10/44、G06V10/46、G06V10/75、G06V10/764、G06V10/80。

专利摘要显示，本发明涉及一种研磨机磨轮牙齿边缘视觉识别与磨损程度评估算法，所属先进制造与自动化技术领域，包括如下操作步骤：S1：图像采集与感兴趣区域提取。S2：图像预处理与增强。S3：磨轮牙齿边缘的鲁棒定位与异常点识别。S4：磨轮牙齿磨损特征参数提取。S5：磨损程度综合评估与分级。解决了研磨机磨轮牙齿边缘识别精度低、磨损评估不准确的问题。通过亚像素插值技术，突破了硬件分辨率的物理限制，提高了测量精度。针对磨损边缘易断裂、模糊的特点，设计了置信度划分与RANSAC修复机制，有效区分了正常轮廓与磨损缺陷，避免了噪声干扰。构建了包含偏差、曲率、面积、粗糙度的多维特征向量，并通过机器学习模型进行综合评估，结果更加客观准确。

天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司成立日期2017年9月28日，法定代表人贺贤汉，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本523559.0107万人民币，实缴资本503225.6776万人民币，注册地址为浙江省杭州市钱塘区东垦路888号。杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息472条，拥有行政许可23个。

杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种改善硅片平坦度和表面微观纳米形貌的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610433578.92026-04-03CN122033767A2026-05-15张文军
2一种基于H发明专利公布CN202610435085.92026-04-03CN122318758A2026-06-30王鸣
3LAP研磨液分流装置及其改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610401390.62026-03-30CN122099994A2026-05-29孙贵昌
4研磨机磨轮牙齿边缘视觉识别与磨损程度评估算法发明专利公布CN202610381764.22026-03-26CN122335698A2026-07-03冯黎明
5一种能准确检出重掺品单晶气孔不良率的检出系统及方法发明专利公布CN202610364165.X2026-03-24CN122305916A2026-06-30张晨阳、康海洋、蔡敏杰
6减少清洗后硅片表面残留水的装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610357091.72026-03-23CN122008067A2026-05-12石建群
7硅片研削设备平坦度TTV稳定性加工方法发明专利公布CN202610357084.72026-03-23CN122299516A2026-06-30苏鹏辉
8一种边缘腐蚀机生产工艺中的柔性可调水平暂存台系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610300126.32026-03-12CN122126635A2026-06-02万琨
9一种外延污染监控硅片及其生产方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202610299599.62026-03-12CN122180364A2026-06-09孙若力
10基于BBS边抛机移载机的柔性合夹、移位、清洗系统及处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610264655.22026-03-05CN121972433A2026-05-05金忠谱
11一种半导体外延片工艺中降低硅片翘曲度的系统及操作方法发明专利公布CN202610191045.42026-02-10CN122270106A2026-06-23吴瑶
12针对硅片黑十字光消失原理的产品单晶缺陷锁定系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610152360.62026-02-03CN122108938A2026-05-29任梦
13CMP设备的研磨液精准供给系统及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128880.32026-01-30CN121733440A2026-03-27刘肖
14用于超低电阻硅片的电容式平坦度测量装置及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610128881.82026-01-30CN122015634A2026-05-12张迪
15基于复合化学机械抛光与低损伤等离子蚀刻的晶圆表面协同处理工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202610124745.12026-01-29CN122206247A2026-06-12裴宁
16一种硅片片盒传递的分选机取送料系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610101895.02026-01-26CN122057704A2026-05-19张晨阳、康海洋、蔡敏杰
17改善最终外观目检台聚光灯消耗的结构及其降本增效方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066824.12026-01-19CN121782552A2026-04-03李林秀
18通过颗粒测试机台测试热氧化后先行片孪晶缺陷的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066826.02026-01-19CN122094438A2026-05-26宋金会
19一种减少硅片DIC异常的柔性吸附转移系统及放置方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610066822.22026-01-19CN122094437A2026-05-26侯文艺
20针对成品晶圆的包装盒可视检测系统及码放精度测量方法发明专利公布CN202610021292.X2026-01-08CN121829314A2026-04-10王伟东
21提升硅片表金属清洗效率且环境友好型的工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610021291.52026-01-08CN122054939A2026-05-15毛攀
22一种修整8英寸硅片抛光站陶瓷盘的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037297.X2025-12-31CN121696834A2026-03-20张森阳
23检测晶体微小缺陷的方法发明专利公布CN202512046375.22025-12-31CN121830714A2026-04-10何珍碧
24一种提升硅片良率的多位置快速吸附机构及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046368.22025-12-31CN121888919A2026-04-17石建群
25一种8吋硅片酸腐蚀加工工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202512037300.82025-12-31CN121888881A2026-04-17缪燃
26降低LPCVD工艺中单晶硅片翘曲度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512046344.72025-12-31CN121874744A2026-04-17崔涛、李鹏
27一种提高晶圆双面抛光表面质量的化学机械抛光液及抛光方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037304.62025-12-31CN121895868A2026-04-21马成智
28一种降低边缘抛光碎裂片的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037302.72025-12-31CN121946339A2026-05-01徐威楠
29一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置发明专利实质审查的生效、公布CN202512020705.02025-12-30CN121874901A2026-04-17王忠保、张友海、杨凯、芮阳、倪浩然、白园、赵娜、李俊丽
30一种可调节的硅片粗糙度的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020706.52025-12-30CN121908871A2026-04-21李媛
31一种IGBT用硅单晶轻掺厚外延片的外延层厚度在线检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020699.92025-12-30CN121908855A2026-04-21郭体强、齐旭东
32一种用于半导体晶圆化学机械抛光的低缺陷率复合抛光液及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512020703.12025-12-30CN121950188A2026-05-01姜翠兰
33基于晶圆倒角机的缓冲吸附机械手系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512007568.72025-12-29CN121696852A2026-03-20杜书红
34一种应用于硅片的抛光液自动配比供应系统及控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511988919.02025-12-26CN121879445A2026-04-17李炎
35一种高生长速率的EPI生产方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511982257.62025-12-25CN121915492A2026-04-24赵博
36一种检测亲水性硅片表面金属的ICP-MS进样装置及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511965099.32025-12-24CN121805386A2026-04-07苏慧云、戴潮
37颗粒检测仪在测试过程中被吸附颗粒的改进方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511953352.32025-12-23CN121877674A2026-04-17郑斌
38转品名自动核对的技术方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511953332.62025-12-23CN121958521A2026-05-01张靖
39针对晶圆片盒内金属含量的防污染检测系统及快速检测方法发明专利公布CN202511941811.62025-12-22CN121678728A2026-03-17苏慧云、周桂丽、戴潮
40一种降低硅抛光片体镍含量的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511938463.72025-12-22CN121888877A2026-04-17高威、张森阳
41一种硅单晶粗片的轮廓参数检测系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511927715.62025-12-19CN121612895A2026-03-06周卫宏
42一种硅片加工的全流程中防崩边闭环系统及操作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511908263.72025-12-17CN121870571A2026-04-17胡磊
43基于边缘区域在线监测与动态压力补偿的抛光方法发明专利公布CN202511886277.32025-12-15CN121552237A2026-02-24徐姜炜
44采用液相离子色谱仪分析硅片表面氯离子的前处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511886281.X2025-12-15CN121805489A2026-04-07周桂丽、戴潮、代治立、周卫宏
45基于硅片插片工序的静电消除与表面清洁系统及工艺发明专利实质审查的生效、公布CN202511886282.42025-12-15CN121869782A2026-04-17苏鹏辉
46针对晶圆倒角的晶圆边缘加工系统及倒角工艺发明专利公布CN202511865282.62025-12-11CN121552186A2026-02-24黄炜霞
47一种片盒包装的装载、检查系统及安装方法发明专利公布CN202511846572.62025-12-09CN121553472A2026-02-24王斌
48一种单晶硅片notch部位边缘轮廓尺寸的测量方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511831114.52025-12-06CN121908853A2026-04-21郭体强、齐旭东
49硅片V型槽抛光中心矫正的加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511816359.02025-12-04CN121572186A2026-02-27吴福壮
50区分PV型与PI型硅片的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511816355.22025-12-04CN121888927A2026-04-17王烨华、康海洋

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