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晶合集成申请半导体结构相关专利，制备嵌入式锗硅器件，防损伤腐蚀且降复杂度

创始人 更新于 2026-07-04 09:24:34 首发于 2026-07-04 09:25:08 街坊资讯 0

7月4日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、半导体器件”的专利。申请公布号为CN122340888A，申请号为CN202610778881.2，申请公布日期为2026年7月3日，申请日期为2026年6月2日，发明人张盖、南子昱、王雪，专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司，专利代理师姜晓云，分类号H10D84/01、H10D84/85。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，包括：提供衬底，衬底内包括沿平行于衬底顶面的第一方向交替排布的第一区域、第二区域，以及间隔第一区域、第二区域的隔离结构；衬底顶面上包括沿第一方向延伸，沿第二方向间隔排列的栅极；形成掩模层，掩模层覆盖第一区域、且沿第二方向延伸至隔离结构的部分顶面；基于掩模层，于第二区域裸露的衬底顶面，采用选择性外延工艺形成顶面高于栅极顶面的外延层；于第一区域、第二区域的顶面，形成仅暴露出外延层顶面的阻挡叠层；去除外延层，并于原位形成西格玛沟槽及填满西格玛沟槽的应力层。能够在制备嵌入式锗硅器件避免产生非预期的材料损伤与腐蚀失效问题，同时降低制程复杂度。

晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市，注册地址位于安徽省合肥市，办公地址在安徽省合肥市和中国香港。它是国内知名的12英寸晶圆代工企业，具备先进工艺研发及应用能力，在行业内有较高投资价值。

晶合集成主要从事12英寸晶圆代工业务，研发并应用行业先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，涉及MCU概念、集成电路、半导体产业等概念板块。

2025年，晶合集成实现营业收入108.85亿元，行业排名4/7，与第一名中芯国际的673.23亿元、第二名华虹宏力的172.91亿元有差距，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。其主营业务中，集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%。净利润方面，2025年为4.66亿元，行业排名4/7，与第一名中芯国际的72.09亿元、第二名赛微电子的13.88亿元相比有差距，行业平均数为9.67亿元，中位数为4.66亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种半导体结构的制造方法发明专利公布CN202610795445.62026-06-04CN122318838A2026-06-30马亚强、季小龙、张正、沐凡、韩壮壮
2半导体制程异常处理方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利公布CN202610795944.52026-06-04CN122333300A2026-07-03王佑祥
3缺陷分类模型的建立方法以及缺陷分类方法发明专利公布CN202610789298.12026-06-03CN122336446A2026-07-03李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕
4一种SRAM最小工作电压的量测方法发明专利公布CN202610788371.32026-06-03CN122337290A2026-07-03沈洁、田志锋、刘波
5半导体结构及其制备方法、半导体器件发明专利公布CN202610778881.22026-06-02CN122340888A2026-07-03张盖、南子昱、王雪
6干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法发明专利公布CN202610757823.12026-05-29CN122314744A2026-06-30李文超、刘然、罗成、杨智强
7MOM电容结构的SPICE模型的建立方法发明专利公布CN202610759023.32026-05-29CN122311103A2026-06-30胡杰、张良宵、王晓辉、沈浩然
8半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610761688.82026-05-29CN122318267A2026-06-30张德培、周宁宁、王梦慧
9晶圆清洗方法发明专利公布CN202610747037.32026-05-28CN122270072A2026-06-23刘苏涛、曹平
10半导体工厂作业场景的安全预警方法、装置和设备发明专利公布CN202610740384.32026-05-27CN122265950A2026-06-23毛周亮、徐旻芮、夏慧、颜传奇、黄世豪
11栅极介质层的制备方法和半导体结构发明专利公布CN202610741566.22026-05-27CN122269774A2026-06-23周亚龙、朱海龙、晏荣伟、李嘉伦、罗承先
12一种半导体结构的制备方法发明专利公布CN202610729686.02026-05-26CN122341196A2026-07-03李文超、杨智强、林子荏、张旭
13半导体器件的外延层结构形成方法发明专利公布CN202610719734.82026-05-25CN122248783A2026-06-19谢斌根、董宗谕
14安全工作区量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202610705221.12026-05-21CN122238814A2026-06-19刘家昌、陈帅、程文祥、汪小小
15图像传感器及其制作方法发明专利公布CN202610702601.X2026-05-21CN122248817A2026-06-19张鹏鹏、贾涛
16接触孔缺陷检测方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610694586.92026-05-20CN122218003A2026-06-16李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕
17半导体缺陷智能分析方法及装置发明专利公布CN202610693288.82026-05-20CN122244026A2026-06-19杜悦珲、张利强、李璐、鄢志忠、李佛富、林今焕
18半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610695713.72026-05-20CN122318270A2026-06-30魏巍、任大雅、李猛猛、唐鹏飞
19一种半导体设备的参数化单元的选项的自动生成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685344.32026-05-19CN122221790A2026-06-16前田圭司、伊藤真浩
20集成功率器件及其制备方法发明专利公布CN202610685210.12026-05-19CN122248782A2026-06-19周宁宁、王梦慧、陈信全
21一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610677493.52026-05-18CN122227654A2026-06-16姜恒、李毅、施平
22检索模型的训练方法、检索方法和电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬
23LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610667846.32026-05-15CN122205903A2026-06-12陈晓妍、王梦慧
24一种反应腔室的漏率监测方法、装置及半导体工艺设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610667786.52026-05-15CN122217543A2026-06-16王昆、周俊、刘志强、徐阳
25一种半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610660032.72026-05-14CN122205918A2026-06-12韩小虎、邓少鹏
26半导体版图结构及双栅氧化层制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610663071.22026-05-14CN122205953A2026-06-12徐锐、宋聪强
27一种半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610659999.32026-05-14CN122205917A2026-06-12韩小虎、邓少鹏
28芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬
29半导体结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09巫振伟、汪雪春
30一种半导体器件的测试方法及测试装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610644841.92026-05-12CN122193862A2026-06-12刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲
31光阻层的形成方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明
32半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚
33半导体结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露
34用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02黄周远、许春龙、孟娟
35OPC模型的校正方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29王康、罗招龙
36一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29何赵鑫、黄胜
37深通孔制备方法及背照式图像传感器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29郇小伟、金文祥、褚冉
38一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610570245.02026-04-28CN122110595A2026-05-29赵广、罗招龙、张国乾
39降低F离子注入在CIS产品上产生白像素的方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610551158.02026-04-24CN122094205A2026-05-26吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽
40半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610544911.32026-04-23CN122094153A2026-05-26王文智、王仲盛
41半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610525621.42026-04-21CN122069775A2026-05-19运广涛、邵章朋、苏圣哲、罗钦贤
42静态存储器的最小工作电压的预测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19田志锋、沈洁
43一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610526758.12026-04-21CN122094097A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞
44一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610526755.82026-04-21CN122094096A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞
45一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610516789.92026-04-20CN122069999A2026-05-19张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷
46一种接触孔及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610516915.02026-04-20CN122070006A2026-05-19贾涛、董宗谕、王佳佳
47半导体结构的制作方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610508501.32026-04-17CN122069766A2026-05-19高佑琳、高志杰、盛云、王瑞
48半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12李飞、董宗谕
49半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12李飞、董宗谕
50一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15陈东、王晓娟、韩领、康绍磊

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