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重庆臻宝半导体、重庆臻宝科技申请碳化硅件再生法相关专利，碳化硅零部件再生法提效降损保寿命

创始人 更新于 2026-07-04 09:23:54 首发于 2026-07-04 09:24:29 街坊资讯 0

7月4日消息，国家知识产权局信息显示，重庆臻宝半导体材料有限公司、重庆臻宝科技股份有限公司申请一项名为“一种蚀刻设备碳化硅零部件CVD-MTS分模式再生方法”的专利。申请公布号为CN122327178A，申请号为CN202610363073.X，申请公布日期为2026年7月3日，申请日期为2026年3月24日，发明人张仁浩、杨佐东、杜宗伟、张文平，专利代理机构重庆鼎慧峰合知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师李春连，分类号C23C16/32、C23C16/02、C23C16/455、C23C16/52、C23C16/56。

专利摘要显示，本发明公开了一种蚀刻设备碳化硅零部件CVD‑MTS分模式再生方法，包括如下步骤：1）将需再生的碳化硅零部件进行裂纹检测；2）将碳化硅零部件进行预处理；3）根据碳化硅零部件的复杂程度，进行全再生/半再生的处理；4）将碳化硅零部件进行梯度精密研磨和退火处理；5）对碳化硅零部件进行多维度的性能检测。本发明从 “基材裂纹预检 ‑ 预处理 ‑ CVD‑MTS 分模式沉积 ‑ 后处理 ‑ 多维度检测” 五阶段协同技术体系，单套零部件再生周期短；同时多维度检测体系确保再生件一次性装机合格率达99%，避免现有技术因检测不全面导致的装机返工率，显著减少半导体产线停机损失；该再生方法填补现有技术缺乏核心性能验证的空白，确保再生件寿命，满足半导体制程要求。

天眼查数据显示，重庆臻宝半导体材料有限公司成立日期2022年9月8日，法定代表人王兵，所属行业为专用设备制造业，企业规模为中型，注册资本5000万人民币，实缴资本5000万人民币，注册地址为重庆市九龙坡区西彭镇森迪大道8号1幢。重庆臻宝半导体材料有限公司共对外投资了0家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息0条，专利信息41条，拥有行政许可1个。

重庆臻宝半导体材料有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种蚀刻设备碳化硅零部件CVD-MTS分模式再生方法发明专利公布CN202610363073.X2026-03-24CN122327178A2026-07-03张仁浩、杨佐东、杜宗伟、张文平
2一种单晶硅片滑移线检测系统及方法发明专利公布CN202610353737.42026-03-23CN122282794A2026-06-26王廷波、刘森宇、杨佐东
3一种新型的气溶胶分散装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511931937.52025-12-19CN121715271A2026-03-24王皓杰、潘倩、刘恒豪、陈立航、曾德强、蒋晓钧
4一种氧化铝陶瓷浆料及其制备方法和氧化铝陶瓷发明专利实质审查的生效、公布CN202511876991.42025-12-12CN121494583A2026-02-10马俊、陈立航、蒋晓钧
5单晶硅棒截断装置及截断方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511836771.92025-12-08CN121340481A2026-01-16王鹏、杨佐东、谢泽军
6静电卡盘内部缺陷检测方法、装置、终端及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511788999.52025-12-01CN121595695A2026-03-03卿钺媛、陈立航、蒋晓钧、曾德强
7一种基于预氧化的碳化硅陶瓷高效低损伤研磨方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511700599.42025-11-19CN121515043A2026-02-13陈浩、曾文厚、陈立航、蒋晓钧
8一种机械振动辅助气溶胶制备装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511591569.42025-11-03CN121103268A2025-12-12郑洋、潘倩、王皓杰、曾德强、陈立航、蒋晓钧
9一种离子辅助气溶胶沉积陶瓷薄膜涂层的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511506471.42025-10-21CN121344584A2026-01-16王皓杰、潘倩、常梓勋、杨潇枭、陈立航、曾德强、蒋晓钧
10一种低温固化的耐高温绝缘封孔剂发明专利实质审查的生效、公布CN202511415318.02025-09-30CN121136555A2025-12-16马俊、陈立航、蒋晓钧
11一种氮化铝陶瓷流延浆料、高延伸率氮化铝陶瓷生坯带及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511415332.02025-09-30CN121270255A2026-01-06王宏宇、许红豆、王明菊、陈立航、蒋晓钧、曾德强
12一种刻蚀液及硅环微流道的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511416395.82025-09-30CN121320961A2026-01-13何桥、赵清云、王文彬、杨佐东
13一种复合涂层的制备方法及其装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511410090.62025-09-29CN121293016A2026-01-09杨潇枭、肖永宝、常梓勋、郑洋、曾德强、陈立航、蒋晓钧
14氮化铝基复合陶瓷的金属化浆料、其制备方法及氮化铝基复合陶瓷发明专利实质审查的生效、公布CN202511378912.72025-09-25CN121318547A2026-01-13许红豆、王宏宇、陈立航、蒋晓钧、曾德强
15一种基于功率反向调节的大直径单晶硅放肩控制方法及其应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511334479.72025-09-18CN121183419A2025-12-23王鹏、谢泽军、杨佐东
16一种基于微波诱导加热的气溶胶分散装置及涂层沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511252678.32025-09-03CN121103558A2025-12-12常梓勋、杨潇枭、谭敏、郑洋、陈立航、蒋晓钧
17一种提高不锈钢表面疏水性的处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511222225.62025-08-29CN121046828A2025-12-02王怀志、张迎春、蒋晓钧、陈立航
18一种高致密氧化钇涂层制备方法及装置发明专利公布CN202511101762.52025-08-07CN120940192A2025-11-14王皓杰、谭敏、郑洋、曾德强
19一种单晶硅环表面处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511043561.42025-07-28CN120895470A2025-11-04何桥、赵清云、王文彬、杨佐东
20一种气相射流刻蚀装置实用新型授权CN202521598530.02025-07-28CN224337804U2026-06-09何桥、赵清云、王文彬、杨佐东

臻宝科技成立于2016年2月25日，于2026年6月24日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均位于重庆市。该公司专注集成电路及显示面板设备零部件及表面处理，在行业内具备一定技术实力。

臻宝科技主营业务为集成电路及显示面板行业客户提供制造设备真空腔体内参与工艺反应的零部件及其表面处理解决方案，所属申万行业为电子 - 半导体 - 半导体材料，概念板块包含昨日高振幅、半导体材料、OLED。

2025年，臻宝科技营业收入8.68亿元，在28家同行中排名第18，远低于行业第一名有研新材的95.42亿元和第二名雅克科技的86.11亿元，行业平均数为19.44亿元，中位数为11.14亿元。主营业务中，零部件收入6.67亿元，占比76.85%；表面处理服务收入1.66亿元，占比19.14%；其他收入3481.81万元，占比4.01%。净利润方面，2025年为2.26亿元，行业排名第8，第一名雅克科技为10.3亿元，第二名江丰电子为4.14亿元，行业平均数为3007.8万元，中位数为8178.71万元。

重庆臻宝科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种静电卡盘键合胶水调配器发明专利公布CN202610681282.92026-05-18CN122298259A2026-06-30林莹环、陈立航、蒋晓钧
2一种蚀刻设备碳化硅零部件CVD-MTS分模式再生方法发明专利公布CN202610363073.X2026-03-24CN122327178A2026-07-03张仁浩、杨佐东、杜宗伟、张文平
3一种单晶硅片滑移线检测系统及方法发明专利公布CN202610353737.42026-03-23CN122282794A2026-06-26王廷波、刘森宇、杨佐东
4一种新型的气溶胶分散装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511931937.52025-12-19CN121715271A2026-03-24王皓杰、潘倩、刘恒豪、陈立航、曾德强、蒋晓钧
5一种重掺单晶硅氧碳含量检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511882395.72025-12-15CN121703038A2026-03-20王廷波、杨佐东
6静电卡盘内部缺陷检测方法、装置、终端及介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511788999.52025-12-01CN121595695A2026-03-03卿钺媛、陈立航、蒋晓钧、曾德强
7一种机械振动辅助气溶胶制备装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511591569.42025-11-03CN121103268A2025-12-12郑洋、潘倩、王皓杰、曾德强、陈立航、蒋晓钧
8一种离子辅助气溶胶沉积陶瓷薄膜涂层的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511506471.42025-10-21CN121344584A2026-01-16王皓杰、潘倩、常梓勋、杨潇枭、陈立航、曾德强、蒋晓钧
9一种氮化铝陶瓷流延浆料、高延伸率氮化铝陶瓷生坯带及其制备方法和应用发明专利实质审查的生效、公布CN202511415332.02025-09-30CN121270255A2026-01-06王宏宇、许红豆、王明菊、陈立航、蒋晓钧、曾德强
10一种复合涂层的制备方法及其装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511410090.62025-09-29CN121293016A2026-01-09杨潇枭、肖永宝、常梓勋、郑洋、曾德强、陈立航、蒋晓钧
11氮化铝基复合陶瓷的金属化浆料、其制备方法及氮化铝基复合陶瓷发明专利实质审查的生效、公布CN202511378912.72025-09-25CN121318547A2026-01-13许红豆、王宏宇、陈立航、蒋晓钧、曾德强
12一种提高不锈钢表面疏水性的处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511222225.62025-08-29CN121046828A2025-12-02王怀志、张迎春、蒋晓钧、陈立航
13半导体刻蚀设备用变压器耦合等离子体窗及其制备方法发明专利授权CN202510580257.72025-05-07CN120453149B2026-05-15何桥、张杰、王文彬、杨佐东
14一种石墨纯化装置发明专利专利申请权、专利权的转移、实质审查的生效、公布CN202510391315.12025-03-31CN120252355A2025-07-04张昊斌
15一种用于氧化钇材料制程中缺陷的鉴定方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510164428.82025-02-14CN119985374A2025-05-13陈虹利、陈立航、曾文厚、蒋晓钧
16一种水基全合成切削液沉降性测试装置及测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411992989.92024-12-31CN119780051A2025-04-08纪鑫玉、陈立航、蒋晓钧
17一种抑制氧化钇涂层氧空缺的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411602558.72024-11-11CN119465004A2025-02-18王明菊、陈虹利、曾文厚、陈立航、蒋晓钧
18一种低粗糙度的氧化钇涂层的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411602561.92024-11-11CN119465005A2025-02-18谯敏、陈虹利、曾文厚、陈立航、蒋晓钧
19一种单晶硅环表面低粗糙度的碱刻试剂及清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411332176.72024-09-24CN119221119A2024-12-31王燕清、陈立航、蒋晓钧
20硅料熔融方法、高品质单晶硅棒及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411227053.72024-09-03CN119121373A2024-12-13王鹏、杨佐东
21粉体撞击速度监测系统、方法、喷涂系统及涂层制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411068982.82024-08-06CN118980618A2024-11-19肖永宝、谢迎春、谭敏、郑洋、陈立航
22一种电荷辅助的气溶胶沉积装置、喷涂系统及涂层制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411047797.02024-08-01CN118976615A2024-11-19肖永宝、谢迎春、谭敏、郑洋、陈立航
23一种真空沉积设备用真空腔室及其制备方法发明专利公布CN202410966176.62024-07-18CN118875312A2024-11-01肖永宝、谢迎春、谭敏、郑洋、陈立航
24一种陶瓷涂层封孔检测方法及气密性检测装置发明专利公布CN202410904249.92024-07-08CN118882949A2024-11-01陈虹利、陈立航
25一种切削液泡沫量的测试方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202410650871.12024-05-24CN118583822A2024-09-03刘诗珂、王燕清、纪鑫玉、陈立航
26气溶胶沉积系统粉体撞击速度测试系统、方法、喷涂系统及喷涂方法发明专利实质审查的生效、著录事项变更、公布CN202410535812.X2024-04-30CN118443540A2024-08-06肖永宝、谭敏、谢迎春、陈立航
27碱性蚀刻制绒溶液的添加剂及包含其的制绒液发明专利授权、公布CN202410300757.62024-03-15CN118127642B2024-11-01王燕清、杨佐东、陈立航
28一种J-R型静电卡盘及其制备方法与应用发明专利授权、公布CN202410242674.62024-03-04CN118186332B2024-09-13吴昊、李宗泰、杨佐东、郑宣
29一种高致密化氧化铝陶瓷及其制备方法与应用发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202410214523.X2024-02-27CN118047593A2024-05-17许红豆、胡梓钊、陈立航
30高固含量氧化铝陶瓷造粒粉及其制备方法发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202410217766.92024-02-27CN118145969A2024-06-07许红豆、胡梓钊、陈立航
31一种氧化铝陶瓷及其制备方法与应用发明专利授权CN202410214525.92024-02-27CN118047594B2025-10-28许红豆、胡梓钊、陈立航
32一种用于大直径硅片分割的夹具发明专利著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202311730106.22023-12-15CN117584306A2024-02-23王鹏、周倩、杨佐东
33一种用于硅单晶生长的水冷套发明专利实质审查的生效、公布CN202311136599.72023-09-05CN116926673A2023-10-24王鹏、周倩、杨佐东
34一种硅环斜面加工工装发明专利授权、公布CN202310995271.42023-08-09CN116766092B2025-09-16李善维、杨伟、郭朋飞、杨佐东、陈立航、郑宣
35一种耐高温的耐等离子刻蚀薄膜的制备方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310711449.82023-06-15CN116695046A2023-09-05贺邦杰、陈立航、周岩、宗学森、杨佐东、郑宣
36一种水浴升温加快SiC电化学机械抛光速率的装置及方法发明专利授权、公布CN202310668261.X2023-06-07CN116516459B2025-07-29陈鸿钰、陈立航、杨佐东、郑宣
37一种用于单晶硅的碱性蚀刻方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310521031.02023-05-10CN116403894A2023-07-07黄世果、陆宏刚、龙泽吉、杨佐东、陈立航、郑宣
38一种耐等离子蚀刻硅橡胶及其制备方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310410618.42023-04-18CN116376293B2024-02-06屈麟峰、陈立航、杨佐东、郑宣
39CVD法再生过程解决SiC边缘环界面和应力的方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202310390772.X2023-04-13CN116411252A2023-07-11陈鸿钰、陈立航、杨佐东、郑宣
40一种降低氧化铝陶瓷板材孔隙率的成型装置发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202310342317.22023-04-03CN116117963B2023-11-07杨光、陈立航、杨佐东、郑宣
41一种高性能耐等离子刻蚀薄膜及其制作方法发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN202211719102.X2022-12-30CN115896673A2023-04-04贺邦杰、陈立航、郑宣
42一种硅环抛光设备发明专利授权CN202211524602.82022-12-01CN115741426B2026-05-26廖光洪、陈立航、屈麟峰
43一种用于下部电极的通用夹具实用新型专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权CN202223002997.32022-11-10CN218665018U2023-03-21黄鑫、郎凯、杨佐东
44一种用于解决带孔产品药液留痕的治具发明专利授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202211322866.52022-10-27CN115672839B2025-08-05李玉琼、陈立航、郑宣
45一种用于硅材料微孔蚀刻的蚀刻液及蚀刻方法发明专利授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202211186904.92022-09-28CN115537202B2023-09-05王燕清、陈立航、杨佐东
46一种适用于半导体部件的直径检具发明专利授权、公布CN202211067200.X2022-09-01CN115420165B2025-04-25王家安、杨佐东、田陈
47电极小孔斜度检测方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202211043893.92022-08-30CN115388857A2022-11-25王家安、杨佐东、田陈
48上部电极气体分流孔堵塞检测工装实用新型专利权人的姓名或者名称、地址的变更、专利权人的姓名或者名称、地址的变更、授权CN202222314859.22022-08-30CN218272021U2023-01-10欧力铭、杨佐东、胡飞
49一种激光雕刻圆环用清灰夹具发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN202210990825.72022-08-18CN115255623A2022-11-01王城、陈立航、郑宣
50一种微孔清洗装置发明专利专利权质押登记、变更及注销、授权、著录事项变更、实质审查的生效、公布CN202210930574.32022-08-04CN115283334B2023-06-23刘晓松、陈立航、郑宣

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