5月17日消息，国家知识产权局信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司、苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请一项名为“半导体激光器及其制备方法”的专利，授权公告号CN121440356B，授权公告日为2026年5月15日。申请公布号为CN121440356A，申请号为CN202512034833.0，申请公布日期为2026年5月15日，申请日期为2025年12月31日，发明人王俊、章宇航、赵武、闵大勇，专利代理机构北京聿宏知识产权代理有限公司，专利代理师杨娟，分类号H01S5/028、H01S5/12、H01S5/22、H01S5/34。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体激光器及其制备方法，制备方法包括：在半导体衬底层沿第一方向的一侧形成下限制层；在部分下限制层背离半导体衬底层的一侧形成脊形结构，脊形结构包括在第一方向上依次层叠的下波导层、有源层、上波导层、光栅层和盖层，盖层位于光栅层背离上波导层的一侧；在下限制层背离半导体衬底层的一侧形成绝缘外延层，绝缘外延层位于脊形结构背离半导体衬底层的一侧、以及脊形结构在慢轴方向的两侧，绝缘外延层的热导率大于有源层的热导率；在绝缘外延层中形成开口，开口暴露出所述盖层，开口在慢轴方向的尺寸大于脊形结构在慢轴方向的尺寸；在开口中形成上限制层。
长光华芯成立于2012年3月6日，于2022年4月1日在上海证券交易所上市，注册地和办公地均为江苏省苏州市。它是国内高功率半导体激光芯片龙头，专注半导体激光芯片研发制造，打破国外垄断，技术优势显著。
长光华芯主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售，所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件，涉及光通信、年度强势、数据中心等概念板块。
2025年，长光华芯实现营业收入4.77亿元，在行业18家公司中排名第14，远低于第一名*ST闻泰的312.53亿元和第二名士兰微的130.52亿元，行业平均数为39.84亿元，中位数为13亿元。其主营业务中，高功率单管系列收入3.86亿元，占比80.90%。净利润方面，2025年为2291.65万元，行业排名13/18，与第一名扬杰科技的12.45亿元和第二名捷捷微电的4.76亿元差距较大，行业平均数为 - 3.38亿元，中位数为5933.85万元。
苏州长光华芯光电技术股份有限公司近期专利情况如下：
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 半导体激光器及其封装方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610413710.X | 2026-03-31 | CN121939217A | 2026-04-28 | 张宇昆、周立、王俊、靳嫣然、胡燚文、肖垚、张建 |
| 2 | 产生一维光斑阵列的设备及产生二维光斑阵列的设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610379317.3 | 2026-03-26 | CN121922974A | 2026-04-24 | 俞浩、许永博、王俊 |
| 3 | 一种实现激光匀化光斑的光学装置及激光系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610255969.6 | 2026-03-04 | CN121763582A | 2026-03-31 | 宋玲玲、俞浩、莫亚娟、戈畅畅、王俊 |
| 4 | 集成光栅的半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610069647.2 | 2026-01-20 | CN121546423A | 2026-02-17 | 谭少阳、王俊、吴承坤、李刘晶、赵武、肖垚、邵烨、闵大勇 |
| 5 | 半导体结构的制备方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610031609.8 | 2026-01-12 | CN121484637B | 2026-05-12 | 赵武、罗晨、王俊、李刘晶、李顺峰 |
| 6 | 光学系统的光斑畸变校正方法、光学系统、装置及电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202512052281.6 | 2025-12-31 | CN121432706B | 2026-03-24 | 宋玲玲、俞浩、王俊 |
| 7 | 半导体激光器及其制备方法 | 发明专利 | 授权 | CN202512034833.0 | 2025-12-31 | CN121440356B | 2026-05-15 | 王俊、章宇航、赵武、闵大勇 |
| 8 | 液环真空泵叶轮拆解、组装一体通用工装治具及其使用方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511496469.3 | 2025-10-20 | CN120962570A | 2025-11-18 | 严柏林、王俊、李波、肖啸、赵武、闵大勇 |
| 9 | 一种基于多视向断面图像的三维重构方法和制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效 | CN202511324100.4 | 2025-09-17 | CN120852676B | 2025-12-02 | 王俊、李龙基、肖垚、孙正明、张燕、李刘晶、赵武、孙方圆、宋木、罗晨 |
| 10 | 半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510615963.0 | 2025-05-14 | CN120127504B | 2025-07-25 | 王俊、刘武灵、谭少阳、邵烨、肖垚、李泉灵、闵大勇 |
| 11 | 量子级联发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510533789.5 | 2025-04-27 | CN120073480B | 2025-08-05 | 詹文博、程洋、王俊、赵武、朱泽群、闵大勇 |
| 12 | 一种半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510421116.0 | 2025-04-07 | CN119965677B | 2025-06-27 | 李泉灵、王俊、程洋、赵武、闵大勇 |
| 13 | 一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202510329278.1 | 2025-03-20 | CN119834061B | 2025-07-01 | 王俊、肖垚、李泉灵、高元斌、张昊、刘恒、苗霈、陆兴东、赵武 |
| 14 | 高速率高效率低成本的半导体光通信器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510233978.0 | 2025-02-28 | CN120149950A | 2025-06-13 | 王俊、肖垚、陆兴东、高元斌、刘恒、苗霈、李泉灵 |
| 15 | 一种半导体器件的表面处理设备及其方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510230234.3 | 2025-02-28 | CN119747316B | 2025-06-17 | 李泉灵、王俊、李波、周立、谭少阳、杨杰、闵大勇 |
| 16 | 一种外延片层的厚度测量方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510207800.9 | 2025-02-25 | CN119687839B | 2025-07-08 | 杨文帆、王俊、程洋、詹文博、赵武、李婷、闵大勇 |
| 17 | 半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510193767.9 | 2025-02-21 | CN119726361B | 2025-05-23 | 张宇昆、周立、王俊、靳嫣然、胡燚文、杨文帆、李婷、闵大勇 |
| 18 | 测试样品及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510181379.9 | 2025-02-19 | CN119666508B | 2025-06-03 | 王俊、张燕、肖垚、李顺峰、宋木、李刘晶、赵武、苟于单、张弘、李泉灵 |
| 19 | 半导体光子晶体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510134531.8 | 2025-02-07 | CN119581993B | 2025-06-03 | 王俊、罗晨、肖垚、李顺峰、李刘晶、李泉灵、闵大勇、邓国亮、周昊 |
| 20 | 一种高可靠性半导体激光器阵列封装结构制备夹具及应用其的封装结构制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510106803.3 | 2025-01-23 | CN119525640B | 2025-05-30 | 靳嫣然、周立、王俊、张宇昆、胡燚文、闵大勇、李泉灵 |
| 21 | 多结垂直腔面发射激光器及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510073864.4 | 2025-01-17 | CN119496042B | 2025-04-15 | 苗霈、王俊、刘恒、肖垚、闵大勇、李泉灵 |
| 22 | 一种半导体激光器巴条叠阵及其封装方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510072590.7 | 2025-01-17 | CN119542923B | 2025-04-18 | 靳嫣然、周立、王俊、张宇昆、胡燚文、闵大勇、李婷 |
| 23 | 一种高均匀性二维VCSEL激光器及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411962956.X | 2024-12-30 | CN119381893B | 2025-04-18 | 刘恒、高元斌、王俊、郭帅、苗霈、肖垚、闵大勇、李泉灵 |
| 24 | 半导体发光结构及其制备方法和测试方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411886875.6 | 2024-12-20 | CN119362143B | 2025-04-11 | 王俊、刘武灵、谭少阳、邵烨、李泉灵、闵大勇、邓国亮、张弘、苟于单 |
| 25 | 半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411884893.0 | 2024-12-20 | CN119362152B | 2025-04-11 | 邵烨、谭少阳、王俊、闵大勇 |
| 26 | 模式调控半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411884395.6 | 2024-12-20 | CN119362145B | 2025-04-15 | 王俊、朱立宏、谭少阳、刘武灵、邵烨、闵大勇、邓国亮、周昊、李泉灵 |
| 27 | 半导体封装结构及半导体封装结构的封装方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411884880.3 | 2024-12-20 | CN119340781B | 2025-04-15 | 周立、靳嫣然、王俊、张宇昆、胡燚文、闵大勇、李泉灵 |
| 28 | 半导体刻蚀方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202411874116.8 | 2024-12-19 | CN119340780A | 2025-01-21 | 李刘晶、王俊、赵武、李顺峰、闵大勇 |
| 29 | 应变有源层及其制备方法、半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411844952.1 | 2024-12-16 | CN119342954A | 2025-01-21 | 郭银涛、王俊、张志成、肖垚、詹文博、李泉灵、闵大勇 |
| 30 | 半导体激光器材料的校验方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411832991.X | 2024-12-13 | CN119315373B | 2025-03-25 | 詹文博、程洋、王俊、赵武、朱泽群、闵大勇 |
| 31 | 半导体激光器及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202411823655.9 | 2024-12-12 | CN119297725B | 2025-03-14 | 张宇昆、王俊、周立、靳嫣然、胡燚文、闵大勇 |
| 32 | 半导体激光器及半导体激光器的制备方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202411678459.7 | 2024-11-22 | CN119182046A | 2024-12-24 | 王予晓、谭少阳、王俊、邵烨、李刘晶 |
| 33 | 半导体结构的生长方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411595147.X | 2024-11-11 | CN119101988B | 2025-04-11 | 王骄、王俊、郭银涛、李恺、夏明月 |
| 34 | 一种半导体激光器薄膜复合结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411580010.7 | 2024-11-07 | CN119070132B | 2025-02-28 | 杨文帆、李泉灵、王俊、闵大勇 |
| 35 | 一种波长锁定的半导体激光器 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411489646.0 | 2024-10-24 | CN119009666B | 2025-04-04 | 裘利平、俞浩、刘晓雷、谭少阳、王俊 |
| 36 | 光学波导器件端面的镀膜方法、光学波导器件及掩膜陪条 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411428095.7 | 2024-10-14 | CN118932284B | 2025-01-28 | 赵武、王俊、程洋、李波、钱晨灏 |
| 37 | 半导体激光器合束装置 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411426017.3 | 2024-10-14 | CN118943888B | 2025-02-25 | 孙方圆、俞浩、王俊 |
| 38 | 半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411328037.7 | 2024-09-24 | CN118867837B | 2025-02-07 | 李恺、夏明月、王俊、肖啸、郭银涛、程洋 |
| 39 | 半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411266378.6 | 2024-09-11 | CN118783244B | 2025-02-07 | 夏明月、王俊、郭银涛、程洋、肖啸 |
| 40 | 一种半导体结构的减薄方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411205903.3 | 2024-08-30 | CN118737823B | 2024-12-06 | 金峰、赵武、王俊、李丰、杨文帆 |
| 41 | 检测系统和检测方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411154623.4 | 2024-08-22 | CN118670690B | 2025-02-07 | 孙方圆、王俊、俞浩 |
| 42 | 自适应脉冲激光无线能量传输系统、方法及电子设备 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411118875.1 | 2024-08-15 | CN118646174B | 2024-12-31 | 杨火木、陈玉超、邓国亮、王俊、苟于单、周昊、张弘、周寿桓、李泉灵 |
| 43 | 一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411085164.9 | 2024-08-08 | CN118610892B | 2024-11-15 | 高元斌、郭帅、王俊、刘恒、肖垚、苗霈 |
| 44 | 一种半导体激光器 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410782544.1 | 2024-06-18 | CN118367438B | 2024-10-01 | 田锟、谭少阳、王俊、肖垚 |
| 45 | 量子级联发光结构的形成方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410748625.X | 2024-06-12 | CN118336519B | 2024-11-19 | 王俊、罗晓玥、程洋、章宇航、钱晨灏、赵武、孙方圆 |
| 46 | 脉冲激光无线能量传输系统的测量方法、设备及存储介质 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410734452.6 | 2024-06-07 | CN118316394B | 2024-11-12 | 杨火木、陈玉超、邓国亮、王俊、苟于单、周昊、张弘、周寿桓、李泉灵 |
| 47 | 一种半导体发光结构的制备方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410725721.2 | 2024-06-06 | CN118299930B | 2024-09-17 | 赵武、王俊、谭少阳、程洋、刘武灵 |
| 48 | 半导体材料生长速率的测试方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410591470.3 | 2024-05-14 | CN118168882B | 2024-10-11 | 王俊、张钒璐、李顺峰、赵武、杨文帆 |
| 49 | 高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410534321.3 | 2024-04-30 | CN118112399B | 2024-07-12 | 王俊、刘武灵、谭少阳、邵烨、李泉灵、闵大勇 |
| 50 | 一种偏振光VCSEL及其制备方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410494068.3 | 2024-04-24 | CN118099935B | 2024-07-05 | 刘恒、王俊、郭帅、肖垚、高元斌、苗霈 |
天眼查数据显示，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司成立日期2018年3月8日，法定代表人闵大勇，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为小型，注册资本20500万人民币，实缴资本20500万人民币，注册地址为苏州市高新区漓江路56号1幢（A区）。苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目27次，财产线索方面有商标信息0条，专利信息211条，拥有行政许可38个。
苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司近期专利情况如下：
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 半导体激光器及其封装方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610413710.X | 2026-03-31 | CN121939217A | 2026-04-28 | 张宇昆、周立、王俊、靳嫣然、胡燚文、肖垚、张建 |
| 2 | 产生一维光斑阵列的设备及产生二维光斑阵列的设备 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610379317.3 | 2026-03-26 | CN121922974A | 2026-04-24 | 俞浩、许永博、王俊 |
| 3 | 一种实现激光匀化光斑的光学装置及激光系统 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202610255969.6 | 2026-03-04 | CN121763582A | 2026-03-31 | 宋玲玲、俞浩、莫亚娟、戈畅畅、王俊 |
| 4 | 集成光栅的半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202610069647.2 | 2026-01-20 | CN121546423A | 2026-02-17 | 谭少阳、王俊、吴承坤、李刘晶、赵武、肖垚、邵烨、闵大勇 |
| 5 | 半导体结构的制备方法 | 发明专利 | 授权 | CN202610031609.8 | 2026-01-12 | CN121484637B | 2026-05-12 | 赵武、罗晨、王俊、李刘晶、李顺峰 |
| 6 | 光学系统的光斑畸变校正方法、光学系统、装置及电子设备 | 发明专利 | 授权 | CN202512052281.6 | 2025-12-31 | CN121432706B | 2026-03-24 | 宋玲玲、俞浩、王俊 |
| 7 | 半导体激光器及其制备方法 | 发明专利 | 授权 | CN202512034833.0 | 2025-12-31 | CN121440356B | 2026-05-15 | 王俊、章宇航、赵武、闵大勇 |
| 8 | 液环真空泵叶轮拆解、组装一体通用工装治具及其使用方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511496469.3 | 2025-10-20 | CN120962570A | 2025-11-18 | 严柏林、王俊、李波、肖啸、赵武、闵大勇 |
| 9 | 一种基于多视向断面图像的三维重构方法和制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效 | CN202511324100.4 | 2025-09-17 | CN120852676B | 2025-12-02 | 王俊、李龙基、肖垚、孙正明、张燕、李刘晶、赵武、孙方圆、宋木、罗晨 |
| 10 | 半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510615963.0 | 2025-05-14 | CN120127504B | 2025-07-25 | 王俊、刘武灵、谭少阳、邵烨、肖垚、李泉灵、闵大勇 |
| 11 | 量子级联发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510533789.5 | 2025-04-27 | CN120073480B | 2025-08-05 | 詹文博、程洋、王俊、赵武、朱泽群、闵大勇 |
| 12 | 一种半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510421116.0 | 2025-04-07 | CN119965677B | 2025-06-27 | 李泉灵、王俊、程洋、赵武、闵大勇 |
| 13 | 一种高功率高效率单模半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202510329278.1 | 2025-03-20 | CN119834061B | 2025-07-01 | 王俊、肖垚、李泉灵、高元斌、张昊、刘恒、苗霈、陆兴东、赵武 |
| 14 | 高速率高效率低成本的半导体光通信器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510233978.0 | 2025-02-28 | CN120149950A | 2025-06-13 | 王俊、肖垚、陆兴东、高元斌、刘恒、苗霈、李泉灵 |
| 15 | 一种半导体器件的表面处理设备及其方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510230234.3 | 2025-02-28 | CN119747316B | 2025-06-17 | 李泉灵、王俊、李波、周立、谭少阳、杨杰、闵大勇 |
| 16 | 一种外延片层的厚度测量方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510207800.9 | 2025-02-25 | CN119687839B | 2025-07-08 | 杨文帆、王俊、程洋、詹文博、赵武、李婷、闵大勇 |
| 17 | 半导体激光芯片及其制备方法、半导体激光芯片封装组件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510193767.9 | 2025-02-21 | CN119726361B | 2025-05-23 | 张宇昆、周立、王俊、靳嫣然、胡燚文、杨文帆、李婷、闵大勇 |
| 18 | 测试样品及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510181379.9 | 2025-02-19 | CN119666508B | 2025-06-03 | 王俊、张燕、肖垚、李顺峰、宋木、李刘晶、赵武、苟于单、张弘、李泉灵 |
| 19 | 半导体光子晶体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510134531.8 | 2025-02-07 | CN119581993B | 2025-06-03 | 王俊、罗晨、肖垚、李顺峰、李刘晶、李泉灵、闵大勇、邓国亮、周昊 |
| 20 | 一种高可靠性半导体激光器阵列封装结构制备夹具及应用其的封装结构制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510106803.3 | 2025-01-23 | CN119525640B | 2025-05-30 | 靳嫣然、周立、王俊、张宇昆、胡燚文、闵大勇、李泉灵 |
| 21 | 一种半导体激光器巴条叠阵及其封装方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510072590.7 | 2025-01-17 | CN119542923B | 2025-04-18 | 靳嫣然、周立、王俊、张宇昆、胡燚文、闵大勇、李婷 |
| 22 | 一种高均匀性二维VCSEL激光器及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411962956.X | 2024-12-30 | CN119381893B | 2025-04-18 | 刘恒、高元斌、王俊、郭帅、苗霈、肖垚、闵大勇、李泉灵 |
| 23 | 半导体发光结构及其制备方法和测试方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411886875.6 | 2024-12-20 | CN119362143B | 2025-04-11 | 王俊、刘武灵、谭少阳、邵烨、李泉灵、闵大勇、邓国亮、张弘、苟于单 |
| 24 | 半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411884893.0 | 2024-12-20 | CN119362152B | 2025-04-11 | 邵烨、谭少阳、王俊、闵大勇 |
| 25 | 模式调控半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411884395.6 | 2024-12-20 | CN119362145B | 2025-04-15 | 王俊、朱立宏、谭少阳、刘武灵、邵烨、闵大勇、邓国亮、周昊、李泉灵 |
| 26 | 半导体封装结构及半导体封装结构的封装方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411884880.3 | 2024-12-20 | CN119340781B | 2025-04-15 | 周立、靳嫣然、王俊、张宇昆、胡燚文、闵大勇、李泉灵 |
| 27 | 半导体刻蚀方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202411874116.8 | 2024-12-19 | CN119340780A | 2025-01-21 | 李刘晶、王俊、赵武、李顺峰、闵大勇 |
| 28 | 应变有源层及其制备方法、半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202411844952.1 | 2024-12-16 | CN119342954A | 2025-01-21 | 郭银涛、王俊、张志成、肖垚、詹文博、李泉灵、闵大勇 |
| 29 | 半导体激光器材料的校验方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411832991.X | 2024-12-13 | CN119315373B | 2025-03-25 | 詹文博、程洋、王俊、赵武、朱泽群、闵大勇 |
| 30 | 半导体激光器及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202411823655.9 | 2024-12-12 | CN119297725B | 2025-03-14 | 张宇昆、王俊、周立、靳嫣然、胡燚文、闵大勇 |
| 31 | 半导体激光器及半导体激光器的制备方法 | 发明专利 | 发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布 | CN202411678459.7 | 2024-11-22 | CN119182046A | 2024-12-24 | 王予晓、谭少阳、王俊、邵烨、李刘晶 |
| 32 | 半导体结构的生长方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411595147.X | 2024-11-11 | CN119101988B | 2025-04-11 | 王骄、王俊、郭银涛、李恺、夏明月 |
| 33 | 一种半导体激光器薄膜复合结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411580010.7 | 2024-11-07 | CN119070132B | 2025-02-28 | 杨文帆、李泉灵、王俊、闵大勇 |
| 34 | 一种波长锁定的半导体激光器 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411489646.0 | 2024-10-24 | CN119009666B | 2025-04-04 | 裘利平、俞浩、刘晓雷、谭少阳、王俊 |
| 35 | 光学波导器件端面的镀膜方法、光学波导器件及掩膜陪条 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411428095.7 | 2024-10-14 | CN118932284B | 2025-01-28 | 赵武、王俊、程洋、李波、钱晨灏 |
| 36 | 半导体激光器合束装置 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411426017.3 | 2024-10-14 | CN118943888B | 2025-02-25 | 孙方圆、俞浩、王俊 |
| 37 | 半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202411328037.7 | 2024-09-24 | CN118867837B | 2025-02-07 | 李恺、夏明月、王俊、肖啸、郭银涛、程洋 |
| 38 | 半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411266378.6 | 2024-09-11 | CN118783244B | 2025-02-07 | 夏明月、王俊、郭银涛、程洋、肖啸 |
| 39 | 一种半导体结构的减薄方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411205903.3 | 2024-08-30 | CN118737823B | 2024-12-06 | 金峰、赵武、王俊、李丰、杨文帆 |
| 40 | 检测系统和检测方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411154623.4 | 2024-08-22 | CN118670690B | 2025-02-07 | 孙方圆、王俊、俞浩 |
| 41 | 一种释放氧化应力的VCSEL芯片及其制备方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202411085164.9 | 2024-08-08 | CN118610892B | 2024-11-15 | 高元斌、郭帅、王俊、刘恒、肖垚、苗霈 |
| 42 | 一种半导体激光器 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410782544.1 | 2024-06-18 | CN118367438B | 2024-10-01 | 田锟、谭少阳、王俊、肖垚 |
| 43 | 量子级联发光结构的形成方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410748625.X | 2024-06-12 | CN118336519B | 2024-11-19 | 王俊、罗晓玥、程洋、章宇航、钱晨灏、赵武、孙方圆 |
| 44 | 一种半导体发光结构的制备方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410725721.2 | 2024-06-06 | CN118299930B | 2024-09-17 | 赵武、王俊、谭少阳、程洋、刘武灵 |
| 45 | 半导体材料生长速率的测试方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410591470.3 | 2024-05-14 | CN118168882B | 2024-10-11 | 王俊、张钒璐、李顺峰、赵武、杨文帆 |
| 46 | 高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410534321.3 | 2024-04-30 | CN118112399B | 2024-07-12 | 王俊、刘武灵、谭少阳、邵烨、李泉灵、闵大勇 |
| 47 | 一种偏振光VCSEL及其制备方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410494068.3 | 2024-04-24 | CN118099935B | 2024-07-05 | 刘恒、王俊、郭帅、肖垚、高元斌、苗霈 |
| 48 | 一种低翘曲半导体激光器及其制备方法 | 发明专利 | 授权、公布 | CN202410453049.6 | 2024-04-16 | CN118073959B | 2024-07-05 | 杨文帆、赵武、王俊 |
| 49 | 一种半导体封装结构及封装方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202410444560.X | 2024-04-15 | CN118040459B | 2024-06-11 | 靳嫣然、周立、王俊、张宇昆、胡燚文、李婷、俞浩、孙舒娟 |
| 50 | 一种多结垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202410404422.9 | 2024-04-07 | CN118040474B | 2024-06-21 | 苗霈、王俊、肖垚、刘恒、高元斌、郭帅 |
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