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芯联集成申请半导体器件相关专利，半导体器件制造可同时形成接触结构与金属栅极

创始人 更新于 2026-05-17 09:53:10 首发于 2026-05-17 09:53:32 街坊资讯 0

5月17日消息，国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利。申请公布号为CN122054671A，申请号为CN202610201260.8，申请公布日期为2026年5月15日，申请日期为2026年2月11日，发明人黄艳、赵晓燕，专利代理机构北京磐华捷成知识产权代理有限公司，专利代理师李晴，分类号H10D84/01、H10D84/85、H10D84/83、H10W20/00、H10W20/42、H10D64/01、H10D64/27。

专利摘要显示，一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区域和第二区域，第一区域用于形成沟槽栅晶体管，第二区域用于形成平面栅晶体管；其中，第一区域的半导体衬底中形成有沟槽栅和第一有源区，第二区域的半导体衬底表面形成有多晶硅栅，多晶硅栅两侧的半导体衬底中形成有第二有源区；形成覆盖第一区域和第二区域的层间介电层；进行第一刻蚀工艺，以在第一区域形成贯穿层间介电层并延伸至第一有源区内第一深度的第一接触孔，同时在第二区域内形成去除至少部分多晶硅栅的栅极凹槽；沉积金属材料，金属材料填充第一接触孔以形成第一接触结构，并填充栅极凹槽以形成金属栅极。本发明能够同时形成第一接触结构和金属栅极。

芯联集成于2018年3月9日成立，2023年5月10日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均位于浙江省绍兴市。该公司是国内集成电路制造领域企业，专注MEMS和功率器件等晶圆代工及模组封测业务，具备一站式系统代工解决方案能力。

芯联集成主营业务为MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务，为客户提供一站式系统代工解决方案。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，所属概念板块包括第三代半导体、中芯国际概念、灵巧手。

2025年，芯联集成实现营业收入81.8亿元，在行业7家公司中排名第5，远低于行业第一名中芯国际的673.23亿元和第二名华虹公司的172.91亿元，也低于行业平均数166.12亿元和中位数108.85亿元。其主营业务构成中，集成电路晶圆制造代工收入59.83亿元，占比73.15%；模组封装收入15.08亿元，占比18.43%；研发服务及其他收入3.98亿元，占比4.87%；其他(补充)收入2.9亿元，占比3.55%。净利润方面，2025年公司亏损19.33亿元，在行业7家公司中排名第7，与行业第一名中芯国际的72.09亿元和第二名赛微电子的13.88亿元差距明显，低于行业平均数9.67亿元和中位数4.66亿元。

芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1电容麦克风、半导体结构及其测试方法发明专利公布CN202610365274.32026-03-24CN122054060A2026-05-15傅思宇、姚阳文
2霍尔器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610321598.72026-03-17CN121888864A2026-04-17黄艳、赵晓燕
3套刻精度监控结构、监控方法、半导体结构及其制造方法发明专利公布CN202610325340.42026-03-17CN121978872A2026-05-05李忠仁、赵晓燕、何福秀
4一种半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202610201260.82026-02-11CN122054671A2026-05-15黄艳、赵晓燕
5MEMS器件及其制造方法发明专利公布CN202610173899.X2026-02-06CN121974292A2026-05-05胡永宝、姚阳文、徐泽洋
6高压电容隔离器及其制造方法发明专利公布CN202610156455.52026-02-04CN121645907A2026-03-10徐涛、王旭、刘晓雪
7MEMS器件及其制备方法发明专利公布CN202610161355.12026-02-04CN122054059A2026-05-15王鹏
8半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202610144599.92026-02-02CN122054611A2026-05-15张子文、赵晓燕、林笛
9深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075516.52026-01-20CN121888936A2026-04-17张涛、王旭
10用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件发明专利公布CN202610075821.42026-01-20CN122028704A2026-05-12李忠仁、赵晓燕、何启庆
11负性光刻胶去边方法发明专利公布CN202512047655.52025-12-31CN121657384A2026-03-13张孟龙、徐万里、吴健、张弓玉帛、钭诗恩
12封装件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512031182.X2025-12-30CN121772812A2026-03-31徐达武、龚俊能
13一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511994715.82025-12-26CN121728807A2026-03-24叶强飞、黎哲、何云、罗顶
14电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511994584.32025-12-26CN121772735A2026-03-31黄艳、赵晓燕、钟鹏
15一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511980858.32025-12-25CN121712052A2026-03-20叶强飞、黎哲、何云、罗顶
16输出芯片及光控继电器发明专利实质审查的生效、公布CN202511953919.72025-12-23CN121814072A2026-04-07李宝杰、任文珍、丛茂杰
17一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511882683.22025-12-15CN121310023B2026-04-14傅思宇、陆晓龙、徐泽洋、姚阳文
18一种半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511868002.72025-12-11CN121645906A2026-03-10秦永山、王旭
19晶圆异常原因分析方法、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202511867408.32025-12-11CN121682332A2026-03-17王颖、康栋、李鹏、孙海丽
20一种MEMS加速度计及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511852166.02025-12-10CN121276091A2026-01-06马玉莎、张兆林、王红海
21屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法发明专利公布CN202511837217.22025-12-08CN121645929A2026-03-10刘书晓、周圣杰
22高压半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511834633.72025-12-08CN121310568B2026-03-24谢仕源、吴荣成、白鑫、耿爽
23麦克风及其制造方法发明专利授权CN202511824007.X2025-12-05CN121262521B2026-03-31唐丽文
24产品检测方法、装置、存储介质和电子设备发明专利授权CN202511823575.82025-12-05CN121276286B2026-05-01孙海丽、康栋、王颖、李鹏
25RC-IGBT及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511808670.02025-12-03CN121310558A2026-01-09唐伟闻、余龙
26纳米探针的修复方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511810106.22025-12-03CN121522223A2026-02-13李帅
27用于CESL特性测试的测试版图及测试结构发明专利公布CN202511764655.02025-11-27CN121568558A2026-02-24吴桥伟
28基片背面缺陷标记方法及标记设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511753460.62025-11-26CN121616539A2026-03-06张良敏、许大建
29虚拟量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511742208.52025-11-25CN121598081A2026-03-03康栋、孙海丽、王颖、李鹏
30半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511682862.12025-11-17CN121548044A2026-02-17孔孟书、孙金山、顾学强、陈为立、徐剑
31提高键合晶圆机械强度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511671695.02025-11-14CN121493865A2026-02-10陆晓龙、王红海、姚阳文
32薄膜沉积方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511664756.02025-11-13CN121428522A2026-01-30李官勐、左中伟、李乾伟、王志军、王颖超
33半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511665207.52025-11-13CN121815687A2026-04-07裴博、吴荣成、周旭、杨晓寅、陈连旭
34一种半导体器件及其制备方法和电子装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511655487.12025-11-12CN121398101A2026-01-23张俊龙、黎震宇、王琛、刘国安
35半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511647250.92025-11-11CN121536877A2026-02-17王宇、陆晓龙、姚阳文
36IGBT结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511628929.32025-11-07CN121510604A2026-02-10张玉琦、戴银、任文珍、丛茂杰
37掩膜版组、芯片标识的形成方法及晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202511613526.12025-11-06CN121232519A2025-12-30张弓玉帛、金港杰、周旺、陈浩冬
38一种绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利授权CN202511606930.62025-11-05CN121078798B2026-03-24魏翔、王琛
39统计过程控制方法、装置、设备及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511589900.92025-11-03CN121350142A2026-01-16周暐、李悦、孙海丽、项林、高菲燕
40一种半导体结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511540384.02025-10-27CN121398069A2026-01-23姚泽辉、李婧、张文博、金善武
41屏蔽栅沟槽型晶体管的制备方法及屏蔽栅沟槽型晶体管发明专利实质审查的生效、公布CN202511513621.42025-10-22CN121357933A2026-01-16徐西贤、阚志国
42沟槽留膜厚度检测方法、半导体结构形成方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511513278.32025-10-22CN121368377A2026-01-20李宏伟、王旭
43一种功率半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511474976.72025-10-15CN121174537A2025-12-19胡俊杰、任文珍
44半导体器件及基于其的接合状态检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511422267.42025-09-30CN121358260A2026-01-16王涛、王红海
45半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511391055.42025-09-26CN121335132A2026-01-13徐鹏、王琛、刘国安
46监控结构、芯片、监控方法及光刻工艺控制系统发明专利实质审查的生效、公布CN202511362916.62025-09-23CN121276894A2026-01-06周义鹏、李福松、吴荣成、周旭
47一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511328616.62025-09-17CN121174546A2025-12-19周圣杰、阚志国、李远哲
48一种半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511318736.82025-09-16CN120824256B2025-12-23黎震宇、吴梦圆、张俊龙、王琛、刘国安
49一种半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511318587.52025-09-16CN120824255B2026-02-24黎震宇、张俊龙、吴梦圆、王琛、刘国安
50静电放电保护电路和电子器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511314048.42025-09-15CN121355852A2026-01-16阳平、任文珍、丛茂杰

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