街坊秀 街坊秀

当前位置: 首页 » 街坊资讯 »

拓荆科技取得薄膜沉积装置相关专利,薄膜沉积辅助装置防阀门堵塞降成本

12月30日消息,国家知识产权局信息显示,拓荆科技股份有限公司申请一项名为“薄膜沉积的辅助装置、薄膜沉积设备及排出物的处理方法”的专利,授权公告号CN116875959B,授权公告日为2025年12月30日。申请公布号为CN116875959A,申请号为CN202310848601.7,申请公布日期为2025年12月30日,申请日期为2023年7月11日,发明人张阁、高鹏飞,专利代理机构上海专利商标事务所有限公司,专利代理师徐伟,分类号C23C16/455。

专利摘要显示,本发明公开了一种薄膜沉积的辅助装置、薄膜沉积设备以及一种薄膜沉积排出物的处理方法。辅助装置包括:第一阀门,与反应腔室连接,用以调整反应腔室内的气压;以及捕集部,设置于反应腔室和该第一阀门之间,用于收集在反应腔内进行一次薄膜沉积反应完成后的反应腔室中未反应完的一次气液态排出物,并使其在捕集部内进行二次薄膜沉积反应;以及结构,设置于捕集部内,用于过滤进行二次薄膜沉积反应后的二次气液态排出物,以排出干净的气体。通过上述薄膜沉积的辅助装置结构简单,并能有效避免从反应腔室排出的气液态物质在阀门内部进行沉积堵塞阀门,从而延长阀门的生命周期,降低设备故障率,提高机台的运行时间,减少维护成本。

拓荆科技成立于2010年4月28日,于2022年4月20日在上海证券交易所上市。它是国内半导体设备领域的佼佼者,专注高端半导体专用设备,拥有先进技术及完备产业链,极具投资价值。公司注册地址和办公地址均在辽宁省沈阳市。

拓荆科技的主营业务为高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务,所属申万行业为电子 - 半导体 - 半导体设备,属于半导体设备、中芯国际概念、大基金概念板块。

2025年三季度,拓荆科技实现营业收入42.2亿元,在行业23家公司中排名第4,高于行业平均数30.84亿元和中位数11.03亿元,但与第一名北方华创的273.01亿元、第二名中微公司的80.63亿元有差距。同期净利润为5.36亿元,行业排名第6,高于行业平均数5.04亿元和中位数1.29亿元,与第一名北方华创的49.8亿元、第二名盛美上海的12.66亿元存在差距。

拓荆科技股份有限公司近期专利情况如下:

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人
1一种气体传输组件和半导体器件的加工设备发明专利公布CN202511642968.92025-11-10CN121204640A2025-12-26请求不公布姓名、许铁柱
2一种喷淋板组件和半导体的工艺设备发明专利公布CN202511263265.52025-09-04CN121137559A2025-12-16孙少东、宁建平、汤雨竹
3一种抽气环及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511250533.X2025-09-02CN120796943A2025-10-17汤雨竹、贾闯
4一种抽气环及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511250530.62025-09-02CN120796942A2025-10-17汤雨竹、贾闯
5一种喷淋板及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511250517.02025-09-02CN121087462A2025-12-09孙少东
6进气结构、半导体工艺的供气系统和处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511028247.92025-07-24CN120683478A2025-09-23孙少东、孟亮、卜立夫、孙飞
7半导体反应腔体压力控制方法及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202510783799.42025-06-11CN120595879A2025-09-05董礼、孟亮、张闯闯、李中帅、梁彬彬、李权
8射频带的测试装置、方法及薄膜沉积方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510399216.82025-03-31CN120249885A2025-07-04董礼、孟亮、吴凤丽、张闯闯、李中帅、梁彬彬、李权
9一种卡钳结构、腔体及薄膜沉积设备实用新型授权CN202423201410.02024-12-24CN223548088U2025-11-14蔡东坡、宋宇、高级
10一种用于加热盘的清洁系统及其清洁方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411813184.32024-12-10CN119567062A2025-03-07高级、宋宇、王志超
11一种薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411813436.22024-12-10CN119640207A2025-03-18王志超、高级、宋宇
12重锤顶针的装卸工装,安装方法及其拆卸方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411789735.72024-12-05CN119589604A2025-03-11王松、刘家辉
13一种循环冷却净化装置及双腔三晶舟的晶圆加工设备实用新型授权CN202422822803.72024-11-19CN223390508U2025-09-26姜全昌
14一种晶舟交换机构及双腔三晶舟的晶圆加工设备实用新型授权CN202422822517.02024-11-19CN223390523U2025-09-26姜全昌
15一种工艺腔室顶盖机构及其薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411621767.62024-11-13CN119392217A2025-02-07王松、费腾
16一种承载盘及应用其的半导体设备实用新型授权CN202422771484.12024-11-13CN223390535U2025-09-26孙少东、吕志鹏、孟亮
17喷淋板及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411597775.12024-11-08CN119433509A2025-02-14安光辉、栾婉莹、王卓、费腾
18晶圆旋转机构、半导体器件的工艺设备及其工艺方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411573410.52024-11-05CN119433515A2025-02-14张闯闯、吴凤丽、董礼、王前程、梁彬彬、高鑫洲
19晶圆旋转机构和半导体器件的工艺设备实用新型授权CN202422698141.72024-11-05CN223548092U2025-11-14张闯闯、吴凤丽、董礼、王前程、梁彬彬、高鑫洲
20一种背面沉积的工艺腔室及半导体器件的背面沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411528163.72024-10-30CN119177428A2024-12-24殷奇、谭宇琦
21一种背面沉积的工艺腔室及半导体器件的背面沉积设备实用新型授权CN202422630995.12024-10-30CN223468446U2025-10-24殷奇、谭宇琦
22一种双进气通道气体混合装置及半导体薄膜设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411450313.72024-10-16CN119258822A2025-01-07胡祥明、孙少东
23一种双进气通道气体混合装置及半导体薄膜设备实用新型授权CN202422510382.42024-10-16CN223221294U2025-08-15胡祥明、孙少东
24温度控制方法、半导体加工设备及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202411441667.52024-10-15CN119322545A2025-01-17董礼、吴凤丽、张闯闯、李中帅、李权、梁彬彬、高鑫洲、王前程
25腔室压力的控制系统、负载锁存腔及加工设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411441662.22024-10-15CN119324168A2025-01-17马硕、李慧、姜宗帅、李宇
26穿腔气路结构及薄膜沉积设备实用新型授权CN202422484816.82024-10-14CN223357748U2025-09-19王松
27一种加热盘机构及其薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411428059.02024-10-12CN119110447A2024-12-10梁彬彬、吴凤丽、张闯闯、高鑫洲、董礼、张佳琦、王前程
28一种加热盘机构及其薄膜沉积设备实用新型授权CN202422474937.42024-10-12CN223219236U2025-08-12梁彬彬、吴凤丽、张闯闯、高鑫洲、董礼、张佳琦、王前程
29气体输送装置、半导体器件的工艺方法和工艺设备发明专利实质审查的生效、公布CN202411418900.82024-10-11CN119082708A2024-12-06高级、宋宇、阮大鹏
30气体输送装置和半导体器件的工艺设备实用新型授权CN202422460231.22024-10-11CN223357747U2025-09-19高级、宋宇、阮大鹏
31抽气结构和半导体器件的加工设备发明专利公布CN202411277232.12024-09-11CN118880289A2024-11-01汤雨竹、魏有雯、魏薇
32抽气结构和半导体器件的加工设备实用新型授权CN202422236873.42024-09-11CN223226167U2025-08-15汤雨竹、魏有雯、魏薇
33固化工艺设备及固化工艺的处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411198577.82024-08-29CN119158768A2024-12-20汤雨竹
34一种固化工艺设备实用新型授权CN202422113961.52024-08-29CN223337743U2025-09-16汤雨竹
35一种双腔三晶舟的晶圆加工设备及晶圆加工方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311665879.72023-12-06CN118053790A2024-05-17姜全昌
36一种电加热的喷淋板与半导体工艺设备发明专利实质审查的生效、公布CN202311588368.X2023-11-24CN117604504A2024-02-27申思
37一种设备对接装置、方法和半导体加工设备发明专利实质审查的生效、公布CN202311561686.72023-11-21CN117524954A2024-02-06李旭峰、崔雨、黄明策、张驰
38一种用于加热盘的射频连接器以及射频连接组件发明专利授权、公布CN202311561155.82023-11-21CN117477298B2024-07-16张赛谦
39气体传输系统及半导体镀膜设备实用新型授权CN202323145114.92023-11-21CN221588684U2024-08-23李旭峰、陈新益、崔雨、黄明策、张驰
40一种半导体工艺腔体实用新型授权CN202323145535.12023-11-21CN221708662U2024-09-13张亚梅、宋鹏、张晗
41一种电加热的喷淋板与半导体工艺设备发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN202311498545.52023-11-10CN117512566A2024-02-06申思
42一种密封圈测试平台发明专利实质审查的生效、公布CN202311466571.X2023-11-06CN117606787A2024-02-27李旭峰、崔雨、张驰、黄明策
43对中机构、晶圆升降系统及其安装方法、薄膜沉积装置发明专利实质审查的生效、公布CN202311469403.62023-11-03CN117497472A2024-02-02张驰、李旭峰、黄明策、崔雨、陈新益
44一种托盘位置的检测装置、调节系统和检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202311376847.52023-10-23CN117537709A2024-02-09张晨、关帅
45一种托盘位置的显示系统、调节系统和薄膜沉积装置实用新型授权CN202322861841.92023-10-23CN221596382U2024-08-23张晨、关帅
46一种半导体处理设备发明专利授权、公布CN202311310856.42023-10-10CN117352430B2024-09-06郭东
47半导体可组合式阀门集成块实用新型授权CN202322629991.72023-09-26CN221237239U2024-06-28章志敏、鞠子辰、冯鹏
48反应腔内等离子体特性的检测系统及半导体器件的加工设备实用新型授权CN202322494973.22023-09-13CN221102002U2024-06-07王佳航、张赛谦、郭东
49反应腔内等离子体特性的检测系统、检测方法及存储介质发明专利授权、公布CN202311184110.32023-09-13CN117219481B2024-07-16王佳航、张赛谦、郭东
50开腔装置、开腔方法及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202311166812.92023-09-11CN117116810A2023-11-24王磊、李慧

风险提示:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI大模型基于第三方财汇数据库自动发布,任何在本文出现的信息(包括但不限于个股、评论、预测、图表、指标、理论、任何形式的表述等)均只作为参考,不构成个人投资建议。受限于第三方数据库质量等问题,我们无法对数据的真实性及完整性进行分辨或核验,因此本文内容可能出现不准确、不完整、误导性的内容或信息,具体以公司公告为准。如有疑问,请联系biz@staff.sina.com.cn。

未经允许不得转载: 街坊秀 » 拓荆科技取得薄膜沉积装置相关专利,薄膜沉积辅助装置防阀门堵塞降成本