12月30日消息，国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“掩膜版组、芯片标识的形成方法及晶圆”的专利。申请公布号为CN121232519A，申请号为CN202511613526.1，申请公布日期为2025年12月30日，申请日期为2025年11月6日，发明人张弓玉帛、金港杰、周旺、陈浩冬，专利代理机构上海思微知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师赵素香，分类号G03F1/42、G03F7/20。
专利摘要显示，本发明提供一种掩膜版组、芯片标识的形成方法及晶圆，步进曝光工艺将第一掩膜版和第二掩膜版的图形转印到晶圆上后，晶圆的每个芯片区上第三标识与相邻第一标识之间的间隔区域交叠，第四标识与相邻第二标识之间的间隔区域交叠，且该芯片区上的第三标识和第四标识的组合作为芯片区在其曝光场内的唯一芯片身份标识，该芯片区上与第三标识交叠的相邻第一标识之间的间隔区域的位置以及与第四标识交叠的相邻第二标识之间的间隔区域的位置的组合作为芯片区所在的曝光场的唯一身份标识。本发明中唯一芯片身份标识放置在划片道，不占用芯片主图形区域，适配性较强；唯一芯片身份标识无需设计过复杂的图形；无需针对每一个曝光场做不同偏移，减少计算量。
芯联集成成立于2018年3月9日，于2023年5月10日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均位于浙江省绍兴市。该公司是国内MEMS和功率器件领域领先企业，提供一站式系统代工解决方案，具备较强技术实力。
芯联集成主要从事MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务，为客户提供一站式系统代工解决方案。公司所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，涉及IGBT概念、光伏玻璃、IDC电源等概念板块。
2025年三季度，芯联集成实现营业收入54.22亿元，在行业7家公司中排名第5，远低于第一名中芯国际的495.1亿元和第二名华虹公司的125.83亿元，也低于行业平均数121.23亿元和中位数80.69亿元。当期净利润为 -15.76亿元，在行业7家公司中排名末位，与第一名中芯国际的57.7亿元和第二名赛微电子的15.14亿元差距明显，且低于行业平均数8.25亿元和中位数3.95亿元。
芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下：
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 法律状态 | 申请号 | 申请日期 | 公开(公告)号 | 公开(公告)日期 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 掩膜版组、芯片标识的形成方法及晶圆 | 发明专利 | 公布 | CN202511613526.1 | 2025-11-06 | CN121232519A | 2025-12-30 | 张弓玉帛、金港杰、周旺、陈浩冬 |
| 2 | 一种功率半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511474976.7 | 2025-10-15 | CN121174537A | 2025-12-19 | 胡俊杰、任文珍 |
| 3 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511328616.6 | 2025-09-17 | CN121174546A | 2025-12-19 | 周圣杰、阚志国、李远哲 |
| 4 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511318587.5 | 2025-09-16 | CN120824255A | 2025-10-21 | 黎震宇、张俊龙、吴梦圆、王琛、刘国安 |
| 5 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 授权 | CN202511318736.8 | 2025-09-16 | CN120824256B | 2025-12-23 | 黎震宇、吴梦圆、张俊龙、王琛、刘国安 |
| 6 | 监控退火腔室环境稳定性的方法、监控晶圆及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511290074.8 | 2025-09-10 | CN121149133A | 2025-12-16 | 金熠、尹维明 |
| 7 | 应力隔离结构及制备方法、半导体器件及制备方法和应力隔离晶圆 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202511255701.4 | 2025-09-04 | CN120749074A | 2025-10-03 | 马玉莎、王新龙 |
| 8 | 一种LDMOS器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511246179.3 | 2025-09-02 | CN121038331A | 2025-11-28 | 李忠仁、何福秀 |
| 9 | 一种半导体器件的制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511244828.6 | 2025-09-02 | CN121038309A | 2025-11-28 | 周圣杰、阚志国、李远哲 |
| 10 | 静电放电保护电路和电子器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511212820.1 | 2025-08-28 | CN120728533A | 2025-09-30 | 张旭、胡俊杰、任文珍、丛茂杰 |
| 11 | 静电放电保护电路和电子器件 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511212821.6 | 2025-08-28 | CN120728534A | 2025-09-30 | 张旭、胡俊杰、任文珍、丛茂杰 |
| 12 | 缺陷标记装置及标记方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511191458.4 | 2025-08-25 | CN120784180A | 2025-10-14 | 张良敏、曹润泽 |
| 13 | LDMOS器件及其制备方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511173678.4 | 2025-08-21 | CN121038329A | 2025-11-28 | 梁程程、张偲、刘国安 |
| 14 | 监控SiON膜层中的氮含量的方法、装置、存储介质及计算机程序产品 | 发明专利 | 公布 | CN202511147502.1 | 2025-08-15 | CN120998817A | 2025-11-21 | 李乾伟、秦永星、陈强 |
| 15 | MEMS惯性器件的制备方法及MEMS惯性器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202511127594.7 | 2025-08-13 | CN120622404A | 2025-09-12 | 张兆林 |
| 16 | TEM样品的制作方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511118501.4 | 2025-08-11 | CN120971122A | 2025-11-18 | 姜美娇、李剑 |
| 17 | SON结构的制备方法及MEMS器件 | 发明专利 | 公布 | CN202511107060.8 | 2025-08-08 | CN120943209A | 2025-11-14 | 刘艳丽、王大甲、罗传鹏 |
| 18 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202511111596.7 | 2025-08-08 | CN120957490A | 2025-11-14 | 饶泽露、范明远、王琛 |
| 19 | 开关电路 | 发明专利 | 公布 | CN202511096967.9 | 2025-08-06 | CN120979403A | 2025-11-18 | 胡俊杰、任文珍 |
| 20 | 半导体结构及半导体测试方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511090725.9 | 2025-08-05 | CN120933275A | 2025-11-11 | 陈慧秀、朱晓彤 |
| 21 | 半导体器件及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202511042303.4 | 2025-07-28 | CN120887369A | 2025-11-04 | 颜福成 |
| 22 | MEMS器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510989822.5 | 2025-07-17 | CN120841441A | 2025-10-28 | 张兆林 |
| 23 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510989821.0 | 2025-07-17 | CN120841440A | 2025-10-28 | 蔡双、王红海、王新龙、徐达武 |
| 24 | 压力传感器的制备方法及压力传感器 | 发明专利 | 公布 | CN202510967819.3 | 2025-07-14 | CN120831197A | 2025-10-24 | 王曦 |
| 25 | IGBT晶圆结构、用于检测IGBT晶圆结构的方法、芯片 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510891299.2 | 2025-06-30 | CN120727595A | 2025-09-30 | 眭小超 |
| 26 | 屏蔽栅沟槽型晶体管的制备方法和屏蔽栅沟槽型晶体管 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510888037.0 | 2025-06-30 | CN120730761A | 2025-09-30 | 王丹丹、徐承福、何云、徐旭东、丛茂杰 |
| 27 | 基于轻量化卷积神经网络的文本图像超分辨率方法和系统 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510823738.6 | 2025-06-19 | CN120339077B | 2025-09-30 | 丁勇、余庆、刘毅飞 |
| 28 | MEMS器件及其制造方法 | 发明专利 | 公布 | CN202510817294.5 | 2025-06-18 | CN120664491A | 2025-09-19 | 张兆林 |
| 29 | 顶层互连结构及其形成方法、芯片 | 发明专利 | 公布 | CN202510809497.X | 2025-06-17 | CN120674405A | 2025-09-19 | 张涛、梁昕 |
| 30 | 晶圆键合方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510791764.5 | 2025-06-13 | CN120637243A | 2025-09-12 | 张兆林 |
| 31 | 半导体器件及基于其的接合偏移量测试方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510780614.4 | 2025-06-12 | CN120300102A | 2025-07-11 | 王红海 |
| 32 | 一种半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510776247.0 | 2025-06-11 | CN120435024A | 2025-08-05 | 李宝杰、任文珍、丛茂杰、徐旭东 |
| 33 | 导电接触孔的制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510767875.2 | 2025-06-10 | CN120749077A | 2025-10-03 | 徐嘉栋、高霞霞 |
| 34 | 半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510752958.4 | 2025-06-06 | CN120553637A | 2025-08-29 | 吕林静、王新龙 |
| 35 | 双向静电放电保护电路 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510745661.5 | 2025-06-05 | CN120603327A | 2025-09-05 | 胡俊杰 |
| 36 | 半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510747455.8 | 2025-06-05 | CN120710478A | 2025-09-26 | 邵志龙、王大甲、罗传鹏 |
| 37 | MEMS器件的制备方法及MEMS器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510735452.2 | 2025-06-04 | CN120246920B | 2025-08-29 | 鲁列微 |
| 38 | MEMS器件的制备方法及MEMS器件 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510735452.2 | 2025-06-04 | CN120246920B | 2025-08-29 | 鲁列微 |
| 39 | 一种半导体器件及其制造方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510702330.3 | 2025-05-28 | CN120568792A | 2025-08-29 | 周圣杰、阚志国、李远哲 |
| 40 | 肖特基二极管及集成电路元件的制备方法、光刻掩膜版 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510690444.0 | 2025-05-27 | CN120547886A | 2025-08-26 | 杨芳、李婧、许继辉、王伟 |
| 41 | 一种统计过程控制方法和装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510693587.7 | 2025-05-27 | CN120565453A | 2025-08-29 | 梁东升、项林、王峥、刘萌萌、李书文、吴江华 |
| 42 | 一种半导体器件及其制造方法、电子装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510684004.4 | 2025-05-26 | CN120547908A | 2025-08-26 | 戴逸、赵晓燕、陆凌杰、黄艳、钟鹏 |
| 43 | 一种集成电路器件及其形成方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510683298.9 | 2025-05-26 | CN120547882A | 2025-08-26 | 王伟、张文博、杨芳、李婧、许继辉 |
| 44 | 只读存储器及制备方法、只读存储器单元电阻的调整方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510683300.2 | 2025-05-26 | CN120603242A | 2025-09-05 | 吴桥伟 |
| 45 | MEMS器件及其制备方法、电子装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510619419.3 | 2025-05-14 | CN120483030A | 2025-08-15 | 王红海 |
| 46 | 一种MEMS压力传感器及其制造方法、电子装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510598410.9 | 2025-05-09 | CN120467551A | 2025-08-12 | 王宇、寇冬雨、王俊力 |
| 47 | LDMOS器件及其制作方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、实质审查的生效、公布 | CN202510565677.8 | 2025-04-30 | CN120152349A | 2025-06-13 | 李宏伟 |
| 48 | 功率半导体器件及其制备方法 | 发明专利 | 授权、实质审查的生效、公布 | CN202510544717.0 | 2025-04-28 | CN120076376B | 2025-07-11 | 李忠仁、何福秀 |
| 49 | 吸附装置、半导体设备及吸附调整方法 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510545792.9 | 2025-04-28 | CN120376499A | 2025-07-25 | 袁小博 |
| 50 | 混合衬底及其制备方法、半导体装置 | 发明专利 | 实质审查的生效、公布 | CN202510471617.X | 2025-04-15 | CN120322018A | 2025-07-15 | 饶泽露、王琛、张俊龙 |
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